[發(fā)明專利]一種真空供氣系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011153569.3 | 申請日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN112431739A | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 袁林;孔德峰;蘭濤;陳晨;葉揚(yáng);嚴(yán)波;惠輝;趙宏森;解偉 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥大展智能科技有限公司 |
| 主分類號: | F04B37/14 | 分類號: | F04B37/14;F04B39/12;F04B39/10;F04B49/22;F04B49/06 |
| 代理公司: | 合肥律眾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34147 | 代理人: | 龍海麗 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 供氣 系統(tǒng) | ||
1.一種真空供氣系統(tǒng),包括真空腔,其特征在于,所述真空腔包括若干節(jié)首尾串接拼接的真空管,其中一真空管壁上設(shè)置有氣孔,所述氣孔上連接有電磁閥,所述電磁閥上連接有控制器和驅(qū)動電路,所述控制器控制驅(qū)動電路工作,所述驅(qū)動電路包括低壓維持回路和高壓開啟回路,所述高壓開啟回路實現(xiàn)電磁閥高壓快速啟動,所述低壓維持回路在電磁閥啟動后供電工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空供氣系統(tǒng),其特征在于,所述低壓維持回路包括一低壓電源和一NMOS與電磁閥串接形成的工作回路;
所述高壓開啟回路包括一高壓電源和一PMOS與所述電磁閥和所述NMOS串接形成的通路回路,所述PMOS上并接有導(dǎo)通電阻RB1;
所述啟動回路還包括所述高壓電源和三級管與所述導(dǎo)通電阻并接的斷路回路;所述斷路回路實現(xiàn)電磁閥高壓開啟回路的斷路,所述通路回路實現(xiàn)電磁閥高壓啟動工作。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空供氣系統(tǒng),其特征在于,所述高壓電源上依次串接有第一電阻RA1、所述導(dǎo)通電阻RB1、第二電阻RF1,所述第二電阻RF1后部與所述NMOS的引腳2電連接,所述PMOS的引腳3和引腳1分別與所述導(dǎo)通電阻RB1兩端電連接,所述PMOS的引腳3上電壓高于PMOS的引腳1上電壓;
所述導(dǎo)通電阻RB1上并接有第三電阻RC1以及第一三極管QD1,所述第一三極管QD1與所述第三電阻RC1串接,所述第一三極管QD1的引腳3與所述第三電阻RC1電連接,所述第一三極管QD1的引腳1上連接有第二三極管QC1的引腳3,所述第二三極管QC1的引腳2與所述高壓電源電連接,所述第二三極管QC1的引腳1與所述第一三極管QD1的引腳3電連接,所述第二三極管QC1的引腳3上串接有第四電阻RD1,所述第四電阻RD1與所述第二電阻RF1串接;
所述低壓電源上串接有二極管DE1,所述二極管DE1與所述電磁閥串接,所述NMOS的引腳3接電,所述NMOS的引腳1上連接有啟動電源,所述NMOS的引腳1與NMOS的引腳3之間并接有保護(hù)電阻RH1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空供氣系統(tǒng),其特征在于,所述氣孔均布設(shè)置有若干組,每組氣孔中均包括有若干個單獨的氣孔,每個氣孔上均連接有一電磁閥;所述控制器控制每組氣孔上的所有電磁閥同步工作或其中若干個電磁閥異步工作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空供氣系統(tǒng),其特征在于,電磁閥包括固定盒,每組氣孔上可拆卸的設(shè)置有一固定盒,每組氣孔上的電磁閥均固定在固定盒內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空供氣系統(tǒng),其特征在于,所述真空管上均布設(shè)置有若干組氣孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空供氣系統(tǒng),其特征在于,相鄰兩所述真空管之間設(shè)置有密封環(huán),所述密封環(huán)內(nèi)設(shè)置有密封圈,所述密封圈實現(xiàn)兩相鄰真空管之間的密封。
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