[發(fā)明專利]一種耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)及抗干擾測(cè)試系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011153522.7
• 申請(qǐng)日: 2020-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN112217582A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡小軍;陳思遠(yuǎn);王津;黃學(xué)軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州泰思特電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H04B17/00
• 分類號(hào): H04B17/00;G01R31/00
• 代理公司: 蘇州知途知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32299
• 代理人: 馬剛強(qiáng)

1.一種耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，所述耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)連接在輔助設(shè)備和被測(cè)設(shè)備之間，包括耦合電路和去耦電路，所述耦合電路的一側(cè)連接EUT端口，所述耦合電路的另一側(cè)通過(guò)去耦電路連接AE端口，其特征在于：

所述耦合電路包括耦合電容和耦合隔離電感，所述耦合電容的第一端用于連接干擾信號(hào)發(fā)生器，所述耦合電容的第二端連接至所述耦合隔離電感的中心抽頭，所述耦合隔離電感的兩端對(duì)應(yīng)連接至EUT端口，所述耦合電容用于通過(guò)所述耦合隔離電感將干擾信號(hào)同時(shí)耦合到兩根被測(cè)線上；

所述去耦電路包括去耦電容、去耦隔離電感和共模電感，所述去耦電容的第一端連接至去耦隔離電感的中心抽頭，所述去耦電容的第二端接地，所述去耦隔離電感的兩端對(duì)應(yīng)連接至AE端口；所述共模電感的一側(cè)連接至EUT端口，所述共模電感的另一側(cè)連接至AE端口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述耦合隔離電感的繞線采用單一方向繞2n匝，第n匝中心位置抽頭與耦合電容連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述去耦隔離電感的繞線采用單一方向繞2n匝，在第n匝中心位置抽頭與去耦電容連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述耦合電容包括第一耦合電容C_o1、第二耦合電容C_o2，所述耦合隔離電感包括第一隔離電感L1和第二隔離電感L2；

所述第一耦合電容C_o1連接第一隔離電感L1的中心抽頭，所述第二耦合電容C_o2連接第二隔離電感L2的中心抽頭，所述第一隔離電感L1、所述第二隔離電感L2的兩端分別對(duì)應(yīng)連接至EUT端口。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述去耦電容包括第一去耦電容C_q1、第二去耦電容C_q2，所述去耦隔離電感包括第三隔離電感L3、第四隔離電感L4；

所述第一去耦電容C_q1的第一端連接第三隔離電感L3的中心抽頭，所述第二去耦電容C_q2的第一端連接第四隔離電感L4的中心抽頭，所述第三隔離電感L3、第四隔離電感L4的兩端分別對(duì)應(yīng)連接至兩根被測(cè)線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述共模電感采用與干擾信號(hào)頻率匹配的磁芯，繞線采用雙絞線同時(shí)在磁芯材料上繞制，形成三相四線的共模電感。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，所述第一去耦電容C_q1的第二端通過(guò)連接電阻R_B接地，所述第二去耦電容C_q2通過(guò)連接電阻R_A接地。

8.一種抗干擾測(cè)試系統(tǒng)，包括干擾信號(hào)發(fā)生器，用于產(chǎn)生測(cè)試用干擾信號(hào)，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)。