[發(fā)明專利]一種精確修調(diào)芯片電參數(shù)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011153465.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112345923B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃年亞;高艦艇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無錫靖芯科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/317 | 分類號(hào): | G01R31/317 |
| 代理公司: | 無錫蘇元專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32471 | 代理人: | 張姝 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市濱湖*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 精確 芯片 參數(shù) 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種精確修調(diào)芯片電參數(shù)的方法,該精確修調(diào)芯片電參數(shù)的方法包括以下步驟:可修調(diào)存儲(chǔ)器模塊根據(jù)應(yīng)用需求,最終的N bit修調(diào)數(shù)據(jù)D*需要寫入該存儲(chǔ)器模塊寫為固件;數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理模塊先處理主機(jī)發(fā)送的2n個(gè)N bit的D0~Dn?1數(shù)據(jù),D0~Dn?1的數(shù)據(jù)通過參數(shù)選擇模塊與待修調(diào)的電參數(shù)P*產(chǎn)生2n個(gè)P0~Pn?1的數(shù)值,該數(shù)值以P*為中心數(shù)值分布;本發(fā)明測(cè)試平臺(tái)配合形成自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),對(duì)成品芯片進(jìn)行內(nèi)部電參數(shù)的修調(diào),這樣可以客服制程,測(cè)試及封裝等生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的諸多因素的影響。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及精確修調(diào)芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種精確修調(diào)芯片電參數(shù)的方法。
背景技術(shù)
電子設(shè)備與人類的交互信號(hào)均為模擬信號(hào),為了衡量該模擬信號(hào)的強(qiáng)弱,幅度,頻率等參數(shù),通常需要電子設(shè)備芯片內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)精確的電參數(shù)參考值,比如基準(zhǔn)電壓,基準(zhǔn)電流,精確的時(shí)鐘頻率等等。由于芯片在整個(gè)生產(chǎn)中受制程,測(cè)試,封裝等諸多因素的影響,即使電路設(shè)計(jì)非常完美,生產(chǎn)完成后,內(nèi)部電參數(shù)大概率會(huì)隨機(jī)漂移。
因此迫切的需要一種精確修調(diào)芯片電參數(shù)的方法來解決上述不足之處。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種精確修調(diào)芯片電參數(shù)的方法,該精確修調(diào)芯片電參數(shù)的方法包括以下步驟:
步驟一、可修調(diào)存儲(chǔ)器模塊根據(jù)應(yīng)用需求,最終的N bit修調(diào)數(shù)據(jù)D*需要寫入該存儲(chǔ)器模塊寫為固件;
步驟二、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理模塊先處理主機(jī)發(fā)送的2n個(gè)N bit的D0~Dn-1數(shù)據(jù),D0~Dn-1的數(shù)據(jù)通過參數(shù)選擇模塊與待修調(diào)的電參數(shù)P*產(chǎn)生2n個(gè)P0~Pn-1的數(shù)值,該數(shù)值以P*為中心數(shù)值分布;
步驟三、P0~Pn-1通過參數(shù)查表和判決模塊與目標(biāo)參數(shù)表格中設(shè)定的P**數(shù)值進(jìn)行比較,找出當(dāng)中最接近P**的一個(gè)數(shù)值,該數(shù)值對(duì)應(yīng)D0~Dn-1數(shù)據(jù)中唯一的一個(gè)數(shù)據(jù),記為D*,D*既為P*精確修調(diào)的目標(biāo)數(shù)值對(duì)應(yīng)的唯一一個(gè)數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)D*反饋給主機(jī)后,主機(jī)把D*發(fā)送給芯片,此時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理模塊會(huì)刪除D0~Dn-1,并把D*發(fā)送給可修調(diào)存儲(chǔ)器模塊,進(jìn)行修調(diào);
步驟四、修調(diào)完成D*被寫入存儲(chǔ)器,并送給參數(shù)選擇模塊,此時(shí)參數(shù)選擇模塊的輸出數(shù)值為一個(gè)固定值記為P***,通過參數(shù)查找和判決模塊比較P***和P**的差值是否符合設(shè)定值,如果符合則精確修調(diào)完成。
優(yōu)選的,所述可修調(diào)存儲(chǔ)器模塊為單次寫入型存儲(chǔ)器,優(yōu)選為ROM,或可擦寫型存儲(chǔ)器優(yōu)選為Flash。
優(yōu)選的,所述P0~Pn-1的數(shù)值以P*為中心數(shù)值分布。
該方法適用于修調(diào)成品芯片電參數(shù),該方法包括以下步驟:
步驟一、主機(jī)通過通訊接口把2n個(gè)N bit數(shù)據(jù)D0~Dn-1發(fā)送給芯片數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理模塊,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理模塊把D0~Dn-1送給參數(shù)選擇模塊,參數(shù)選擇模塊根據(jù)P*及D0~Dn-1會(huì)產(chǎn)生2n個(gè)數(shù)據(jù)P0~Pn-1,輸出給參數(shù)查找和判決模塊;
步驟二、參數(shù)查找和判決模塊從P0~Pn-1中找出最接近P**的唯一數(shù)值,并返回該數(shù)值對(duì)應(yīng)的D0~Dn-1中唯一的一個(gè)數(shù)據(jù),記為D*,把D*回發(fā)主機(jī),主機(jī)把D*發(fā)送給芯片,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理模塊刪除D0~Dn-1,并把D*發(fā)送給可修調(diào)存儲(chǔ)器模塊,進(jìn)行修調(diào);
步驟三、修調(diào)完成D*被寫入存儲(chǔ)器,并送給參數(shù)選擇模塊,參數(shù)選擇模塊輸出數(shù)值P***,通過參數(shù)查找和判決模塊比較P***和P**的精度差是否符合設(shè)定值,如果符合則精確修調(diào)成功,否則判定修調(diào)失敗。
與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比,本發(fā)明具備以下有益效果:本發(fā)明測(cè)試平臺(tái)配合形成自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),對(duì)成品芯片進(jìn)行內(nèi)部電參數(shù)的修調(diào),這樣可以客服制程,測(cè)試及封裝等生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的諸多因素的影響。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方法示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫靖芯科技有限公司,未經(jīng)無錫靖芯科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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