[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011152310.7
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112271269A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張曉遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;馮建基

1.一種顯示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供襯底基板，所述襯底基板上形成有像素界定層，所述像素界定層限定有多個像素單元，每個像素單元都包括多個對應(yīng)于不同顏色的子像素單元；

形成發(fā)光元件層，所述發(fā)光元件層包括多個發(fā)光元件，每個子像素中都對應(yīng)設(shè)置有發(fā)出相應(yīng)顏色光的發(fā)光元件，其中，形成發(fā)光元件層的步驟包括：

依次形成發(fā)出各種顏色光的發(fā)光元件的發(fā)光層，并且，形成至少一種顏色的發(fā)光元件的發(fā)光層包括以下步驟：

在形成有像素界定層的襯底基板上涂敷能夠激發(fā)出相應(yīng)顏色的光的量子點(diǎn)材料層，所述量子點(diǎn)材料層的材料包括多個量子點(diǎn)，且所述量子點(diǎn)包括量子點(diǎn)本體和與所述量子點(diǎn)本體通過配位鍵相連的可交聯(lián)配體；

對所述量子點(diǎn)材料層進(jìn)行局部交聯(lián)處理，以使得所述量子點(diǎn)材料層上位于相應(yīng)顏色的子像素單元中的量子點(diǎn)的可交聯(lián)配體發(fā)生交聯(lián)；

對局部交聯(lián)處理后的量子點(diǎn)材料層進(jìn)行熒光性能淬滅處理，以使得量子點(diǎn)材料層中位于相應(yīng)顏色的子像素單元之外的量子點(diǎn)發(fā)生熒光性能淬滅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在對所述量子點(diǎn)材料層進(jìn)行局部交聯(lián)處理的步驟中，所述可交聯(lián)配體交聯(lián)后在所述量子點(diǎn)本體表面形成交聯(lián)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述可交聯(lián)配體包括配位基團(tuán)、碳鏈、以及可交聯(lián)官能團(tuán)，所述配位基團(tuán)和所述可交聯(lián)官能團(tuán)均位于所述碳鏈上，所述配位基團(tuán)通過配位鍵與所述量子點(diǎn)本體相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述可交聯(lián)官能團(tuán)為可光照交聯(lián)的官能團(tuán)，對所述量子點(diǎn)材料層進(jìn)行局部交聯(lián)處理的步驟包括：

在所述量子點(diǎn)材料層上方設(shè)置掩膜板，所述掩膜板包括透光部和遮光部，所述透光部與相應(yīng)顏色的子像素單元相對；

利用光照射所述掩膜板，以使得光通過所述透光部到達(dá)相應(yīng)顏色的子像素單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述可交聯(lián)官能團(tuán)包括以下官能團(tuán)中的至少一者：

雙鍵、環(huán)氧基團(tuán)、羧基、巰基、氨基、羥基。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述碳鏈的長度不小于4個碳原子。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述碳鏈上還形成有支鏈。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，對局部交聯(lián)處理后的量子點(diǎn)材料層進(jìn)行熒光性能淬滅處理的步驟包括：

利用具有金屬陽離子的溶液對局部交聯(lián)處理后的量子點(diǎn)材料層進(jìn)行離子交換處理，以使得量子點(diǎn)材料層中位于相應(yīng)顏色的子像素單元之外的部分中的量子點(diǎn)發(fā)生熒光性能淬滅。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，利用具有金屬陽離子的溶液對局部交聯(lián)處理后的量子點(diǎn)材料層進(jìn)行離子交換處理的步驟之后，所述量子點(diǎn)本體的量子點(diǎn)殼的陽離子被所述金屬陽離子代替，和/或所述量子點(diǎn)本體的量子點(diǎn)核的陽離子被所述金屬陽離子代替。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述金屬陽離子選自以下陽離子中的至少一者：

Fe³⁺、Cu⁺、Co²⁺、Ni²⁺、Ag⁺、Mo⁶⁺、Na⁺、K⁺、Cs⁺、Ba²⁺、Ca²⁺、Hg²⁺、Sn²⁺、Pb²⁺。