[發明專利]一種具有低起始電位的光陽極材料及其制備方法有效
| 申請號： | 202011151839.7 | 申請日： | 2020-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN112391648B | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 俞書宏;劉國強;陽緣 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | C25B11/042 | 分類號： | C25B11/042;C25B1/55;C25B1/04;B22F9/24;B22F1/054;B22F1/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 起始 電位 陽極 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種如式（Ⅰ）所示的具有低起始電位的光陽極材料的制備方法，包括以下步驟：
A）將CdSe1-zTez納米線分散于鎘源和硫源的溶液中，水熱反應后得到CdSe1-zTez@CdS核/殼納米線；
B）將所述CdSe1-zTez@CdS核/殼納米線進行高溫退火，得到CdSxSeyTe1-x-y合金納米線；
CdSxSeyTe1-x-y （Ⅰ）；
其中，0＜z＜1；0＜x＜1；0＜y＜1；0＜x+y＜1；0＜z＜1；
所述核殼納米線中CdSe1-zTez與CdS的物質的量比取任意值；
所述CdSe1-zTez納米線的制備方法具體為：
將TemSen@Se1-m-n納米線與鎘源在水溶液中混合加熱，反應后得到CdSe1-zTez納米線；
所述鎘源選自氯化鎘、四水合硝酸鎘與乙酸鎘中的一種或多種；
其中，0＜m＜1，0＜n＜1，0＜m+n＜1，0＜z＜1。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述z的范圍為0.06~0.50。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鎘源選自氯化鎘、四水合硝酸鎘與乙酸鎘中的一種或多種，所述硫源選自硫粉、硫脲與硫化鈉中的一種或多種。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述水熱反應的溫度為100~200℃，升溫速率為1~10℃/min，時間為5~20h。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高溫退火的溫度為400~600℃，升溫速率為1~10℃/min，時間為1~10h。
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