[發明專利]基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件

在審

• 申請號: 202011151629.8
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112490381A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 馬琳;于躍;吳朝新;焦博;徐德飛;周慧鑫;宋江魯奇
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 西安志帆知識產權代理事務所(普通合伙) 61258
• 代理人: 侯峰;韓素蘭

1.一種基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件，其特征在于，由襯底、非金屬電極、傳輸層、發光層、注入層、多周期有機異質結超厚傳輸層、金屬電極從下到上依次疊加組成；

所述多周期有機異質結超厚傳輸層，用于充當超厚電子或空穴傳輸層；

單周期有機異質結超厚傳輸層為n型有機半導體和p型有機半導體構成的雙層有機半導體異質結；

所述n型有機半導體為HAT-CN，所述p型有機半導體為三芳胺類材料。

2.根據權利要求1所述的基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件，其特征在于，所述多周期有機異質結超厚傳輸層的厚度超過150nm，所述單周期有機異質結超厚傳輸層的厚度為20～50nm，周期數為3個周期及以上。

3.根據權利要求2所述的基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件，其特征在于，所述n型有機半導體和p型有機半導體厚度均為10、12.5、15、17.5、20、22.5或25nm。

4.根據權利要求3所述的基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件，其特征在于：所述雙層有機半導體異質結中的n型有機半導體和發光層相鄰，或者通過注入層將電子注入發光層。

5.根據權利要求4所述的基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件，其特征在于：所述雙層有機半導體異質結中的p型有機半導體直接和發光層相鄰，或者通過注入層將空穴注入發光層。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件，其特征在于，所述底發射器件為正向底發射器件時，所述傳輸層為空穴傳輸層，所述注入層為電子注入層，所述非金屬電極為非金屬陽極，所述金屬電極為金屬陰極。

7.根據權利要求1-5任意一項所述的基于多周期有機異質結超厚傳輸層的底發射器件，其特征在于，所述底發射器件為反型底發射器件時，所述傳輸層為電子傳輸層，所述注入層為空穴注入層，所述非金屬電極為非金屬陰極，所述金屬電極為金屬陽極。