[發明專利]一種結型場效應晶體管器件的制備方法在審

申請號：	202011150276.X	申請日：	2020-10-23
公開（公告）號：	CN112466753A	公開（公告）日：	2021-03-09
發明（設計）人：	蔣騫苑;趙德益;呂海鳳;郝壯壯;張嘯;王允	申請（專利權）人：	上海維安半導體有限公司
主分類號：	H01L21/335	分類號：	H01L21/335;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/808
代理公司：	上海申新律師事務所 31272	代理人：	黨蕾
地址：	201323 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種場效應晶體管器件制備方法
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【說明書】：

本發明公開了一種結型場效應晶體管器件的制備方法，屬于半導體器件設計和制造領域，包括硅片，于硅片的第一表面形成第一N型埋層和P型埋層并退火；清洗后生長第一P型外延層；于第一P型外延層中形成第二N型埋層；再次清洗，生長第二P型外延層；形成N+注入區和P+注入區；生長二氧化硅介質層，并沿Y軸方向形成一深槽，形成深P+摻雜區；清洗，隨后淀積P+多晶硅；形成對應的柵極接觸孔；形成漏極金屬、第一柵極金屬和源極金屬；于第二表面上形成第二柵極金屬。本發明的有益效果在于：具有導通電阻低、柵控能力強、夾斷電壓低、開關功耗小、關斷功耗較低等優點；同時其穩定性較高，適用于各種恒流源電路。

技術領域

本發明涉及半導體器件設計和制造領域，尤其涉及一種結型場效應晶體管器件的制備方法。

背景技術

結型場效應晶體管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)是由PN結柵極、源極和漏極構成的一種具有放大功能的三端有源器件，其工作原理是通過柵極電壓改變溝道的導電性以實現對輸出電流的控制。JFET具有輸入阻抗高、功耗低、開關穩定性好等優點，因此在功率器件、低噪聲放大器、高輸入阻抗電路等領域得到了廣泛的應用。

結型場效應晶體管包括耗盡型JFET和增強型JFET，通常較為常見的是耗盡型JFET。對于耗盡型JFET，當柵極不加電壓時，溝道電阻最小，晶體管處于導通狀態；當柵極施加電壓時，改變了柵控PN結的耗盡區的寬度，從而減小溝道的厚度，導致溝道電阻增大，從而控制輸出電流減小，當柵極施加電壓持續增大時，柵控PN結的耗盡區擴展直至將導電溝道夾斷，晶體管進入關斷狀態。

傳統技術制造的JFET，在追求低導通電阻的同時，往往會使得關斷電壓增高，這會導致開關功耗的增大，在電力電子設備中容易造成較大的電力浪費，因此針對以上問題，迫切需要設計出一種結型場效應晶體管器件，以滿足實際使用的需要。

發明內容

為了解決以上技術問題，本發明提供了一種結型場效應晶體管器件的制備方法，具有導通電阻低、柵控能力強、夾斷電壓低，開關功耗小的優點。

本發明所解決的技術問題可以采用以下技術方案實現：

本發明提供一種結型場效應晶體管器件的制備方法，包括：

步驟S1，提供一硅片，所述硅片具有第一表面和第二表面，于所述硅片的第一表面通過光刻工藝和離子注入工藝形成至少一個第一N型埋層；

步驟S2，通過光刻工藝和離子注入工藝于所述第一N型埋層的鄰邊形成一P型埋層，并對所述第一N型埋層和所述P型埋層進行高溫退火，以得到具有一定結深的第一N型埋層和所述P型埋層；

步驟S3，進行清洗，并于所述第一表面、所述第一N型埋層和所述P型埋層的上表面形成一第一P型外延層；

步驟S4，于所述第一P型外延層的上表面通過光刻工藝和離子注入工藝形成第二N型埋層；

步驟S5，進行清洗，并于所述第一P型外延層和所述第二N型埋層的上表面形成第二P型外延層；

步驟S6，于所述第二P型外延層的表面通過光刻工藝和離子注入工藝形成N+注入區，并進行退火；

步驟S7，通過光刻工藝和離子注入工藝于所述N+注入區的鄰邊形成P+注入區；