[發(fā)明專利]一種硬盤(pán)功耗監(jiān)測(cè)方法、硬盤(pán)功耗監(jiān)測(cè)電路及SSD硬盤(pán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011150136.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112285414B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R21/133
• 分類號(hào): G01R21/133;G11C29/50;G06F11/30
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 徐胭脂

1.一種硬盤(pán)功耗監(jiān)測(cè)方法，應(yīng)用于SSD硬盤(pán)，所述SSD硬盤(pán)帶有DDR內(nèi)存模塊和FLASH閃存模塊；其特征在于，所述硬盤(pán)功耗監(jiān)測(cè)方法為：

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)SSD硬盤(pán)上各預(yù)先指定電壓點(diǎn)的功耗；

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)SSD硬盤(pán)上各預(yù)先指定電壓點(diǎn)的功耗，實(shí)現(xiàn)方法為：

分別通過(guò)電流檢測(cè)放大器的分流電阻R_shunt采樣各預(yù)先指定電壓點(diǎn)所在電路中的負(fù)載電流I_load，輸出各自對(duì)應(yīng)的采樣電壓；

通過(guò)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，對(duì)電流檢測(cè)放大器輸出的各采樣電壓進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，得到各負(fù)載電流I_load對(duì)應(yīng)的電壓V_out；

分別利用公式V_out＝(R_shunt×I_load)×Gain+V_ref，計(jì)算出各預(yù)先指定電壓點(diǎn)所在電路的負(fù)載電流I_load；其中，Gain為電流檢測(cè)放大器的增益，V_ref為電流檢測(cè)放大器的參考電壓；

基于所述負(fù)載電流I_load和所述電壓V_out，計(jì)算出各預(yù)先指定電壓點(diǎn)所在電路的功耗；

所述SSD硬盤(pán)上各預(yù)先指定電壓點(diǎn)，包括SSD硬盤(pán)的硬盤(pán)供電電源，包括SSD硬盤(pán)的控制器的核壓電源，包括SSD硬盤(pán)的上P1V8電源和P3V3電源，包括SSD硬盤(pán)上FLASH閃存模塊的VCC電源和VCCQ電源，還包括SSD硬盤(pán)上DDR內(nèi)存模塊的VDDQ電源和VPP電源；

該硬盤(pán)功耗監(jiān)測(cè)方法還包括步驟：

實(shí)時(shí)基于監(jiān)測(cè)到的各預(yù)先指定電壓點(diǎn)的功耗，計(jì)算所述SSD硬盤(pán)的總功耗；

實(shí)時(shí)基于監(jiān)測(cè)到的VCC電源和VCCQ電源的功耗，獲取SSD硬盤(pán)上FLASH閃存模塊的總功耗；

實(shí)時(shí)基于監(jiān)測(cè)到的VDDQ電源及VPP電源的功耗，計(jì)算SSD硬盤(pán)上DDR內(nèi)存模塊的總功耗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤(pán)功耗監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述電流檢測(cè)放大器采用型號(hào)為T(mén)SC213的電流檢測(cè)放大器；所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器采用型號(hào)為ADC128D818的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。