[發明專利]一種高熵合金構件及其制作方法

在審

• 申請號: 202011149464.0
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112267056A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 郭明海;劉斌;李廣生;李澄
• 申請（專利權）人: 鑫精合激光科技發展（北京）有限公司
• 主分類號: C22C30/00
• 分類號: C22C30/00;B22F10/28;B22F10/32;B22F3/11;B33Y10/00;B33Y70/00;B33Y80/00
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 付珍;王勝利

1.一種高熵合金構件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上鋪設金屬粉末，所述金屬粉末包括原子比為a：b：c：d：e的Al、Co、Cr、Fe以及Ni，0＜a≤1.2，b＝c＝d＝e＝1；

采用激光選區熔化工藝對所述金屬粉末進行熔化成型處理，獲得高熵合金構件。

2.根據權利要求1所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，當0＜a≤0.5，所述高熵合金構件具有面心結構固溶體；

當0.5＜a≤0.8，所述高熵合金構件具有面心結構固溶體和體心結構固溶體；

當0.8＜a≤1.2，所述高熵合金構件具有體心結構固溶體。

3.根據權利要求1所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，所述激光選區熔化工藝的工藝參數中，光斑直徑為0.06mm～0.08mm、激光功率為160W～180W，加工層的層厚為10μm～30μm。

4.根據權利要求1所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，所述激光選區熔化工藝的工藝參數中，掃描速度為900mm/s～1200mm/s，掃描線間距為0.08mm～0.11mm，基板預熱溫度為80℃～200℃，加工氣氛為惰性氣體氣氛。

5.根據權利要求1～4任一項所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，所述金屬粉末的粒徑為25μm～38μm，所述激光選區熔化工藝的激光功率為160W，或，

所述金屬粉末的粒徑為38μm～45μm，所述激光選區熔化工藝的激光功率為165W，或，

所述金屬粉末的粒徑為45μm～75μm，所述激光選區熔化工藝的激光功率為170W，或，

所述金屬粉末的粒徑為75μm～100μm，所述激光選區熔化工藝的激光功率為180W。

6.根據權利要求1～4任一項所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，在所述基板上鋪設金屬粉末之前，所述高熵合金構件的制作方法還包括：利用行星球磨機混合金屬粉末，并烘干處理；其中，

所述行星球磨機的轉速為100r/min～400r/min，所述烘干處理的溫度為60℃～80℃，所述烘干處理的時間為4h～8h。

7.根據權利要求1～4任一項所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，在采用激光選區熔化工藝對所述金屬粉末進行熔化成型處理，獲得高熵合金構件后，所述高熵合金構件的制作方法還包括：

利用負壓抽除所述基板上未熔的金屬粉末。

8.根據權利要求1～4任一項所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，在采用激光選區熔化工藝對所述金屬粉末進行熔化成型處理，獲得高熵合金構件后，所述高熵合金構件的制作方法還包括：

將所述高熵合金構件從所述基板上切割分離，然后噴砂打磨處理所述高熵合金構件。

9.根據權利要求1所述的高熵合金構件的制作方法，其特征在于，所述高熵合金構件為點陣構件、三維多孔構件、鏤空構件或中空流道構件。

10.一種高熵合金構件，其特征在于，所述高熵合金構件采用權利要求1～9任一項所述的高熵合金構件的制作方法制作。