[發(fā)明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011149420.8 | 申請日: | 2020-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN112164714A | 公開(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 侯學順;向東旭;李遠;彭濤 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 朱娟 |
| 地址: | 430205 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供一種顯示面板及顯示裝置,顯示面板包括常規(guī)顯示區(qū)和功能區(qū);沿第一方向,常規(guī)顯示區(qū)中的第三顯示區(qū)、第一顯示區(qū)、第二顯示區(qū)的長度依次減小;其中,第一顯示區(qū)與第三顯示區(qū)中的一者為特定顯示區(qū),特定顯示區(qū)中包括第一半導體圖案層且任意一個第一半導體圖案層和與之沿第三方向排布且相鄰的至少一個第一半導體圖案層連接;第二顯示區(qū)包括第二半導體圖案層且任意一個第二半導體圖案層和與之沿第四方向排布且相鄰的至少一個第二半導體圖案層連接;其中,沿第四方向排布且連接的第二半導體圖案層和沿第三方向排布且連接的第一半導體圖案層連接。本申請的顯示面板中,半導體圖案層性能的可靠性及均一性提高。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
隨著消費者需求的增加,全面屏顯示逐漸成為主流的顯示技術(shù)。現(xiàn)有的全面屏顯示通常在顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置透光區(qū),透光區(qū)所在位置用于設(shè)置光學器件,由于透光區(qū)未設(shè)置在非顯示區(qū),則顯示屏的邊框變窄,進而可以實現(xiàn)全面屏顯示。然而由于顯示區(qū)中透光區(qū)的存在,造成了顯示面板顯示效果惡化的問題。
【申請內(nèi)容】
有鑒于此,本申請實施例提供了一種顯示面板及顯示裝置,以解決以上問題。
第一方面,本申請實施例提供一種顯示面板,包括常規(guī)顯示區(qū)和功能區(qū);常規(guī)顯示區(qū)包括第一顯示區(qū)、第二顯示區(qū)以及第三顯示區(qū),并且沿第一方向,第二顯示區(qū)的長度分別小于第一顯示區(qū)和第三顯示區(qū)的長度,且第一顯示區(qū)的長度小于第三顯示區(qū)的長度;功能區(qū)的子像素密度小于常規(guī)顯示區(qū)的子像素密度,并且第二顯示區(qū)、功能區(qū)及第一顯示區(qū)沿第一方向依次鄰接,第一顯示區(qū)、第二顯示區(qū)的至少一者及功能顯示區(qū)均與第三顯示區(qū)沿第二方向鄰接;第一方向與第二方向交叉;其中:第一顯示區(qū)與第三顯示區(qū)中的一者為特定顯示區(qū),特定顯示區(qū)包括多個第一像素電路,第一像素電路包括第一半導體圖案層,任意一個第一半導體圖案層和與之沿第三方向排布且相鄰的至少一個第一半導體圖案層連接,第三方向與第一方向之間的夾角為第一夾角α,90°>α≥0°;第二顯示區(qū)包括多個第二像素電路,第二像素電路包括第二半導體圖案層,任意一個第二半導體圖案層和與之沿第四方向排布且相鄰的至少一個第二半導體圖案層連接;第四方向與第一方向之間的夾角為第二夾角β,90°>β≥0°;其中,沿第四方向排布且連接的第二半導體圖案層和沿第三方向排布且連接的第一半導體圖案層連接。
第二方面,基于同一構(gòu)思,本申請實施例提供一種顯示裝置,包括如第一方面提供的顯示面板,以及光學器件;光學器件設(shè)置在顯示裝置對應(yīng)功能區(qū)的位置。
本申請實施例提供的顯示面板及顯示裝置中,第二半導體圖案層與第一半導體圖案層進行在功能區(qū)連接,實現(xiàn)了半導體圖案層在功能區(qū)的連續(xù)性,減少了避免靜電由功能區(qū)流入半導體圖案層的風險。同時,成串的第二半導體圖案層與成串的第一半導體圖案層連接在一起,則第二半導體圖案層121上密度較大的靜電得以分散。進而可以提高半導體圖案層在后續(xù)高溫制程中性能的可靠性及均一性,實現(xiàn)顯示面板及顯示裝置的顯示均一性,提升顯示效果。
【附圖說明】
為了更清楚地說明本申請實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為本申請實施例提供的一種顯示面板的示意圖;
圖2為本申請實施例提供的另一種顯示面板的示意圖;
圖3為圖1中AA區(qū)域的一種局部放大圖;
圖4為圖1中AA區(qū)域的另一種局部放大圖;
圖5為本申請實施例提供的一種像素電路的等效電路圖;
圖6為本申請中一個子像素區(qū)域?qū)?yīng)的一種剖面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





