[發(fā)明專利]一種在石墨烯上引入納米孔的解耦合刻蝕方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011149401.5 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112354375B | 公開（公告）日： | 2021-12-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王路達(dá);陳笑博;張盛萍;段弘偉;宋瑞洋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B01D71/02 | 分類號(hào)： | B01D71/02;B01D67/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市商泰律師事務(wù)所 11255 | 代理人： | 姜威 |
| 地址： | 100871 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 石墨 引入 納米 耦合 刻蝕 方法 | ||
1.一種在石墨烯上引入納米孔的解耦合刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
將石墨烯樣品放入等離子體處理器真空腔，并將腔內(nèi)氣壓抽至1Pa以下；通入惰性氣體，并通過質(zhì)量流量計(jì)將氣壓控制在10-300Pa，開啟等離子體處理機(jī)，將起輝功率控制在0-100W，處理時(shí)間為0-300s，所述起輝功率和處理時(shí)間不為0，得到處理后的石墨烯樣品；
將所述的處理后的石墨烯樣品放入法拉第籠，并放入至等離子體處理器，將處理器本底真空抽至1 Pa以下，然后通入刻蝕氣體，通入刻蝕氣體后保持氣壓在10-200 Pa，最后開啟等離子體處理器，將起輝功率控制在1-50W,處理時(shí)間10s-180s，處理后得到了引入納米孔的石墨烯薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的石墨烯樣品為采用化學(xué)氣相沉積法制備的在銅片上附著的石墨烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的惰性氣體為氬氣或氮?dú)狻?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的刻蝕氣體為氫氣或氧氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述的石墨烯樣品為不大于2cm*10cm的長方形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的惰性氣體為氦氣、四氯化碳或六氟化硫。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的刻蝕氣體為臭氧、水蒸氣或氯氣。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京大學(xué)，未經(jīng)北京大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011149401.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
