[發明專利]發光二極管和背光式顯示裝置

有效

• 申請號: 202011149368.6
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112271239B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 張景瓊;廖彰文
• 申請（專利權）人: 開發晶照明（廈門）有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/50;G02F1/13357
• 代理公司: 深圳精智聯合知識產權代理有限公司 44393
• 代理人: 夏聲平

1.一種發光二極管，其特征在于，包括：

一多顏色光發射芯片，所述多顏色光發射芯片的發射光譜具有位于第一基色光的波段的第一峰值和位于第二基色光的波段的第二峰值，且所述第一峰值與所述第二峰值的波長差絕對值大于50納米；以及

一熒光膠層，覆蓋所述多顏色光發射芯片以受激產生第三基色光，其中所述第三基色光、所述第二基色光和所述第一基色光的顏色互不相同；

所述第一峰值的強度大于所述第二峰值的強度，所述第一峰值的波長小于所述第二峰值的波長，且所述第一峰值對應的光譜半波寬度及所述第二峰值對應的光譜半波寬度都小于50納米；

所述第一峰值的強度與所述第二峰值的強度之比值為5/3~5；

所述第一峰值對應的所述光譜半波寬度小于所述第二峰值對應的所述光譜半波寬度；

所述第一峰值的波長位于430~470納米范圍內，所述第二峰值的波長位于515~535納米范圍內；

其中，所述多顏色光發射芯片包括N型半導體層、P型半導體層和位于所述N型半導體層與所述P型半導體層之間的多重量子阱層結構；所述多重量子阱層結構包括沿所述N型半導體層與所述P型半導體層的距離方向排列的第一阱層和第二阱層，所述第一阱層和所述阱層具有不同的禁帶寬度以分別用于發射所述第一基色光和所述第二基色光。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一峰值對應的所述光譜半波寬度位于15~25納米范圍內，且所述第二峰值對應的所述光譜半波寬度位于25~45納米范圍內。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一阱層和所述第二阱層的材料包括氮化鎵銦，且所述第一阱層的銦濃度與所述第二阱層的銦濃度不同；所述第一阱層的所述銦濃度位于濃度范圍12.4%~18.8%，所述第二阱層的所述銦濃度位于濃度范圍25.2%~27.8%。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管為芯片級封裝的單芯片器件，所述多顏色光發射芯片為倒裝芯片；

其中，所述熒光膠層位于所述倒裝芯片的頂面并環繞設置在所述倒裝芯片的四周，以實現所述發光二極管側面及頂面出光；或者，所述熒光膠層位于所述倒裝芯片的頂面且所述倒裝芯片的四周由白膠環繞，以實現所述發光二極管頂面出光。

5.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管為表面貼裝型的單芯片器件，所述發光二極管還包括封裝基板，且所述封裝基板形成有凹陷區域，所述多顏色光發射芯片設置在所述凹陷區域內且與所述封裝基板形成電連接，所述熒光膠層填充在所述凹陷區域內以覆蓋所述多顏色光發射芯片，且所述多顏色光發射芯片為正裝芯片或倒裝芯片。

6.一種背光式顯示裝置，其特征在于，包括：

顯示面板，具有第一基色濾光器、第二基色濾光器和第三基色濾光器；

背光模組，用于向所述顯示面板提供背光照明；

其中，所述背光模組設置有如權利要求1-5任意一項所述的發光二極管，且所述第一基色濾光器、第二基色濾光器和第三基色濾光器分別用于過濾所述第一基色光、所述第二基色光和所述第三基色光。