[發明專利]一種場效應晶體管模組及場效應晶體管模組的設計方法

有效

• 申請號: 202011148797.1
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112271212B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 蔡俊嘉
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 梁凱

本發明提供了一種場效應晶體管模組及場效應晶體管模組的設計方法，屬于半導體技術領域，解決了現有技術所設計的場效應晶體管封裝結構在面對較大電流的應用場景時需要外掛額外的電阻，尤其是當外掛多顆電阻時，嚴重影響布局空間的問題。所述方法包括：晶體管本體及電阻組件；所述晶體管本體與所述電阻組件連接，所述電阻組件設置于所述晶體管本體的源極。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種場效應晶體管模組及場效應晶體管模組的設計方法。

背景技術

在半導體領域中，常常使用場效應管布置電路，并且由于在使用過程中電流是否符合需要將直接影響場效應晶體管的運行，因此，往往在場效應晶體管附近布置電流偵測部件。例如，在電源的源頭12V位置，一般設置有一個稱為Hot Swap(熱插入模塊)的電路方塊，負責監控與保護12V 電路，其保護功能為其主要工作目的位于避免因錯誤的操作或是前級后級電路區塊的老化或故障所導致的過流、欠壓、過壓以及短路情況。由此可見，電流偵測是為場效應晶體管所屬的工作電路中相當關鍵的一部分。

一般來說，在低電流的應用中，很多廠商都推出包含電流偵測的場效應晶體管模組的整合包裝，將控制器電路(控制IC)，晶體管電路(MOS IC) 及電流偵測功能組件全部封裝在一起。然而在實際應用中，當外界輸入較大的電流時，這樣的整合型封裝電路結構的場效應晶體管模組便不敷使用，必須將偵測電流組件的電阻獨立外掛，甚至多顆進行并聯，此舉不但增加了用料上的成本，在電路布局中也需占用較多的面積。因此，現有技術所設計的場效應晶體管封裝結構在面對較大電流的應用場景時需要外掛額外的電阻，尤其是當外掛多顆電阻時，嚴重影響布局空間。

發明內容

本發明的目的在于提供一種場效應晶體管模組及場效應晶體管模組的設計方法，能夠有效減少因現有技術外掛多顆電阻影響布局空間的問題，節省空間占用。

第一方面，本發明提供了一種場效應晶體管模組設備，包括：

晶體管本體及電阻組件；

所述晶體管本體與所述電阻組件連接，所述電阻組件設置于所述晶體管本體的源極。

可選的所述電阻組件為所述晶體管本體中的設置有形變結構的源極極板，所述形變結構用于基于改變的外形來提高源極極板的電阻。

可選的，所述形變結構至少包括一個內凹部分；

其中，所述內凹部分設置于源極極板側端，所述內凹部分用于減少源極極板的橫截面積。

可選的，所述形變結構至少包括一個延長結構，所述延長結構用于增長所述源極極板的長度。

可選的，所述延長結構包括將所述源極極板設置有凸起部分，所述凸起部分用于在源極極板的直線長度不變時增加電流路徑長度。

可選的，所述凸起部分包括弧形凸起。

可選的，所述凸起部分包括平頂凸起。

可選的，所述凸起部分包括尖端凸起。

第二方面，本發明還提供了一種場效應晶體管模組的設計方法，應用于設計如上述第一方面中任一項所述的場效應晶體管模組，包括：

根據實際電阻需求，確定所述場效應晶體管模組中的電阻組件的目標阻值；

根據預設阻值計算公式及所述目標阻值，確定所述電阻組件的橫截面積及長度；

當所述電阻組件為所述場效應晶體管模組的源極極板時，根據所述橫截面積及長度確定所述場效應晶體管模組的源極極板規格。