[發(fā)明專利]一種芯片燒結(jié)的方法、裝置、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011148728.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112259458A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬進(jìn);任杰;席中秋;牛奔;劉江;馬海柱 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江熱刺激光技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/324 | 分類號(hào): | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 劉鳳 |
| 地址: | 317500 浙江省臺(tái)州市溫嶺市東*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 燒結(jié) 方法 裝置 電子設(shè)備 可讀 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.一種芯片燒結(jié)的方法,其特征在于,包括:
計(jì)算熱沉的第一位置坐標(biāo),以及芯片的第二位置坐標(biāo),以控制第一吸嘴根據(jù)所述第一位置坐標(biāo)吸取所述熱沉,第二吸嘴根據(jù)所述第二位置坐標(biāo)吸取所述芯片;
計(jì)算被所述第一吸嘴吸取后的所述熱沉的第一旋轉(zhuǎn)角度,以及被所述第二吸嘴吸取后的所述芯片的第二旋轉(zhuǎn)角度;
根據(jù)所述熱沉的第一位置坐標(biāo)和所述熱沉的第一旋轉(zhuǎn)角度,對(duì)所述熱沉的位置進(jìn)行修正,得到所述熱沉的第三位置坐標(biāo),以及根據(jù)所述芯片的第二位置坐標(biāo)和所述芯片的第二旋轉(zhuǎn)角度,對(duì)所述芯片的位置進(jìn)行修正,得到所述芯片的第四位置坐標(biāo);
根據(jù)所述熱沉的第三位置坐標(biāo),控制所述第一吸嘴將所述熱沉放置在加熱臺(tái)上,以及所述芯片的第四位置坐標(biāo),控制所述第二吸嘴將所述芯片放置在所述熱沉上,以對(duì)放置好的芯片進(jìn)行燒結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片燒結(jié)的方法,其特征在于,所述計(jì)算熱沉的第一位置坐標(biāo),包括:
利用激光測(cè)距傳感器測(cè)量熱沉與所述激光測(cè)距傳感器之間的高度值;
根據(jù)所述高度值,計(jì)算第一吸嘴吸取所述熱沉所需要的下降高度;
根據(jù)第一相機(jī)對(duì)所述熱沉進(jìn)行拍照得到的第一圖像信息以及所述下降高度,計(jì)算出所述熱沉相對(duì)于加熱臺(tái)上預(yù)設(shè)原點(diǎn)的第一位置坐標(biāo)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片燒結(jié)的方法,其特征在于,所述計(jì)算芯片的第二位置坐標(biāo),包括:
根據(jù)所述第一相機(jī)對(duì)所述芯片進(jìn)行拍照得到的第二圖像信息以及根據(jù)第二相機(jī)對(duì)所述芯片進(jìn)行拍照得到的第三圖像信息計(jì)算所述芯片相對(duì)于加熱臺(tái)上預(yù)設(shè)原點(diǎn)的第二位置坐標(biāo)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片燒結(jié)的方法,其特征在于,所述計(jì)算被所述第一吸嘴吸取后的所述熱沉的第一旋轉(zhuǎn)角度,包括:
控制底部相機(jī)采集所述熱沉的圖像信息;
根據(jù)所述熱沉的圖像信息,確定所述熱沉的目標(biāo)邊線;
根據(jù)所述熱沉的目標(biāo)邊線所在的方向和第一預(yù)設(shè)軸方向的夾角,計(jì)算所述熱沉的第一旋轉(zhuǎn)角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片燒結(jié)的方法,其特征在于,所述計(jì)算被所述第二吸嘴吸取后的所述芯片的第二旋轉(zhuǎn)角度,包括:
控制所述底部相機(jī)采集所述芯片的圖像信息;
根據(jù)所述芯片的圖像信息,確定所述芯片的目標(biāo)邊線;
根據(jù)所述芯片的目標(biāo)邊線所在的方向和第二預(yù)設(shè)軸方向的夾角,計(jì)算所述芯片的第二旋轉(zhuǎn)角度。
6.一種芯片燒結(jié)裝置,其特征在于,包括:
第一計(jì)算模塊,用于計(jì)算熱沉的第一位置坐標(biāo),以及芯片的第二位置坐標(biāo),以控制第一吸嘴根據(jù)所述第一位置坐標(biāo)吸取所述熱沉,第二吸嘴根據(jù)所述第二位置坐標(biāo)吸取所述芯片;
第二計(jì)算模塊,用于計(jì)算被所述第一吸嘴吸取后的所述熱沉的第一旋轉(zhuǎn)角度,以及被所述第二吸嘴吸取后的所述芯片的第二旋轉(zhuǎn)角度;
修正模塊,用于根據(jù)所述熱沉的第一位置坐標(biāo)和所述熱沉的第一旋轉(zhuǎn)角度,對(duì)所述熱沉的位置進(jìn)行修正,得到所述熱沉的第三位置坐標(biāo),以及根據(jù)所述芯片的第二位置坐標(biāo)和所述芯片的第二旋轉(zhuǎn)角度,對(duì)所述芯片的位置進(jìn)行修正,得到所述芯片的第四位置坐標(biāo);
控制模塊,用于根據(jù)所述熱沉的第三位置坐標(biāo),控制所述第一吸嘴將所述熱沉放置在加熱臺(tái)上,以及所述芯片的第四位置坐標(biāo),控制所述第二吸嘴將所述芯片放置在所述熱沉上,以對(duì)放置好的芯片進(jìn)行燒結(jié)。
7.一種芯片燒結(jié)裝置,其特征在于,包括:移動(dòng)裝置和定位組件;所述移動(dòng)裝置用于帶動(dòng)所述定位組件移動(dòng);
所述定位組件包括圖像采集裝置、取放裝置和定位傳感器;
所述圖像采集裝置用于對(duì)物料進(jìn)行位置取樣,所述取放裝置用于取放物料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片燒結(jié)裝置,其特征在于,包括:所述定位傳感器設(shè)置在所述定位組件上,所述定位傳感器用于檢測(cè)對(duì)所述定位組件與物料之間的相對(duì)位置;所述圖像采集裝置包括第一相機(jī)和第二相機(jī);所述取放裝置包括第一吸嘴和第二吸嘴。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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