[發明專利]一種抗CMAS腐蝕的高熵陶瓷材料、制備方法及其應用有效
| 申請號： | 202011148631.X | 申請日： | 2020-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN112341197B | 公開（公告）日： | 2022-12-13 |
| 發明（設計）人： | 向會敏;孫亞男;周延春;戴付志;陳海坤 | 申請（專利權）人： | 航天材料及工藝研究所 |
| 主分類號： | C04B35/50 | 分類號： | C04B35/50;C04B35/626 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 陳鵬 |
| 地址： | 100076 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cmas 腐蝕 陶瓷材料 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種抗CMAS腐蝕的高熵陶瓷材料，其特征在于，該高熵陶瓷材料的原料包括氧化釤、氧化銪、氧化鉺和氧化镥中的至少三種，以及氧化釔和氧化鐿，各原料的物質的量相同。
2.根據權利要求1所述的抗CMAS腐蝕的高熵陶瓷材料，其特征在于，該高熵陶瓷材料的純度不低于99wt％。
3.一種抗CMAS腐蝕的高熵陶瓷材料的制備方法，用于制備權利要求1或2所述的抗CMAS腐蝕的高熵陶瓷材料，包括：
步驟1，在氧化釤、氧化銪、氧化鉺、氧化镥中任選至少三種，與氧化釔和氧化鐿混合，得到混合均勻的料漿；
步驟2，將步驟1得到的料漿干燥處理得到混合物粉末，將干燥后的粉末進行無壓煅燒，得到高熵陶瓷粉體材料。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟1中，氧化釤、氧化銪、氧化鉺、氧化镥中、氧化釔和氧化鐿均為粉體材料。
5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟1中，各原料在易揮發性介質存在下混合。
6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，步驟2中，煅燒溫度為1500℃～1650℃，煅燒時間為1～3小時。
7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，該制備方法還包括高熵陶瓷粉體材料的粉碎處理過程，通過球磨方式將高熵陶瓷粉體化處理。
8.權利要求1或2所述的抗CMAS腐蝕的高熵陶瓷材料，或者權利要求3至7之一所述的制備方法制備得到的抗CMAS腐蝕的高熵陶瓷材料在作為熱障涂層材料方面的應用。
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