[發明專利]一種鐵電電容器和存儲單元及其制備方法有效
| 申請號: | 202011146593.4 | 申請日: | 2020-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN112271255B | 公開(公告)日: | 2023-06-09 |
| 發明(設計)人: | 廖敏;楊棋鈞;李華山;孫智杰;曾斌建;周益春 | 申請(專利權)人: | 湘潭大學 |
| 主分類號: | H10N97/00 | 分類號: | H10N97/00;H10B53/30 |
| 代理公司: | 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陳超 |
| 地址: | 411100 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電容器 存儲 單元 及其 制備 方法 | ||
1.一種鐵電電容器,其特征在于,包括:
第一電極層(10);
氧化鉿基鐵電薄膜(20),設置在所述第一電極層(10)的一面;
第二電極層(30),設置在所述氧化鉿基鐵電薄膜(20)遠離所述第一電極層(10)的一面;其中,
所述第一電極層(10)和所述第二電極層(30)的材料為金屬硅化物。
2.根據權利要求1所述的鐵電電容器,其特征在于,
所述氧化鉿基鐵電薄膜(20)摻雜Zr、Y、Al、Gd、Sr和La中的一種或多種元素。
3.根據權利要求1所述的鐵電電容器,其特征在于,
所述金屬硅化物為硅化鎳、硅化鈷、硅化鉿、硅化鉑、硅化鈦、硅化鉬和硅化鎢中的一種。
4.一種鐵電電容器的制備方法,其特征在于,包括:
第一襯底一面沉積金屬硅化物,用于形成第一電極層(10);
所述第一電極層(10)遠離所述第一襯底的一面沉積氧化鉿基鐵電薄膜(20);
所述氧化鉿基鐵電薄膜(20)遠離所述第一電極層(10)的一面沉積金屬硅化物,用于形成第二電極層(30);
對所述第一電極層(10)、所述第二電極層(30)和所述氧化鉿基鐵電薄膜(20)進行快速退火處理。
5.一種存儲單元,其特征在于,包括:如權利要求1或2所述的鐵電電容器,還包括:晶體管。
6.一種存儲單元的制備方法,其特征在于,包括:
在第二襯底(40)一面沉積形成絕緣層(50);
在所述絕緣層(50)遠離所述第二襯底(40)的一面沉積形成柵電極層(60);
通過光刻和刻蝕工藝對所述絕緣層(50)和所述柵電極層(60)刻蝕,以得到第一柵極結構;
通過離子注入和退火激活工藝,在所述第二襯底(40)一面形成源極(70)和漏極(80);
在所述第二襯底(40)一面沉積形成絕緣保護層(90),所述絕緣保護層(90)覆蓋所述第一柵極結構,用于保護晶體管;
利用權利要求4所述的制備方法,在所述絕緣保護層(90)遠離所述第二襯底(40)的一面制備鐵電電容器;
在所述絕緣保護層(90)遠離所述第二襯底(40)的一面沉積保護層(100),用于保護所述鐵電電容器;
通過光刻工藝和熱蒸發工藝,形成多個引線,多個所述引線貫穿所述保護層(100);
其中,部分所述引線的一端分別連接所述源極(70)、所述第一柵極結構和所述鐵電電容器的第一電極層(10);
所述漏極(80)與所述鐵電電容器的第二電極層(30)通過所述引線連接。
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