[發(fā)明專利]用于生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺及其制作方法

在審

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• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112289711A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李易偉;查鋼強;張文玉;李陽;曹昆
• 申請（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 西北工業(yè)大學專利中心 61204
• 代理人: 華金

1.一種用于生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，

所述襯底加熱臺為方體形，頂部中心處設(shè)有一凸臺，凸臺沿軸線開有通孔且該通孔貫穿至襯底加熱臺內(nèi)腔；在凸臺兩側(cè)對稱開有通孔分別作為進水口和出水口；

所述襯底加熱臺側(cè)面的四個面分別定義為A面、B面、C面和D面，其中A面和C面相對應(yīng)，B面和D面相對應(yīng)；四個面上均開有n個通孔且通孔數(shù)量相同，n大于等于2，通孔用于放置紅外加熱燈管；A面和C面對應(yīng)位置開有通孔的軸線重合，B面和D面對應(yīng)位置開有通孔的軸線重合，A面、C面通孔所在平面與B面、D面通孔所在平面相互平行且不重合；

所述襯底加熱臺底部中心處開有盲孔，四周開有螺紋孔，熱電偶的測溫端插入凸臺上的通孔后與底部中心的盲孔接觸，用于測溫襯底；

所述襯底加熱臺內(nèi)部為多階狀空腔體，腔體內(nèi)設(shè)有若干擋板，且擋板之間相互平行，與襯底加熱臺底部相互垂直。

2.如權(quán)利要求1所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，所述進水口用于連接水冷機。

3.如權(quán)利要求1所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，所述出水口用于連接水冷機。

4.如權(quán)利要求1所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，所述襯底加熱臺底部開有3mm長的螺紋孔盲孔。

5.如權(quán)利要求1所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，還包括掩膜板，所述掩膜板四周開有通孔，中心處開有打通的階梯孔凹槽，凹槽階梯孔內(nèi)放置襯底，使得襯底背部與掩膜板背部齊平；通孔的位置與加熱臺底部螺紋孔的位置相對應(yīng)，且通過螺紋與加熱臺底部固連。

6.如權(quán)利要求5所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，所述掩膜板采用石墨、SUS304不銹鋼、鋁或銅材料制成。

7.如權(quán)利要求1所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，所述擋板(6)數(shù)量為大于等于1，若干擋板平行交錯布置，且布置時避開加熱臺底部上開有用于連接熱電偶的盲孔及上方區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺，其特征在于，所述擋板(6)與加熱臺連接固定時，擋板(6)與加熱臺底部垂直布置，且保證其中一個側(cè)邊不與加熱臺內(nèi)壁固連，從而布置好后在腔體內(nèi)形成S型腔體，使得冷卻水進入腔體后，在擋板作用下形成S型走位，擴大水冷面積。

9.基于權(quán)利要求1所述一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：制造加熱臺的加熱部分，其內(nèi)部通孔可插入紅外燈管；

步驟2：制造加熱臺的水冷部分；

步驟3：制造加熱臺的熱電偶通孔結(jié)構(gòu)；

步驟4：制造加熱臺的上部蓋板以及進出水口；

步驟5：制造掩膜板。

10.如權(quán)利要求9所述的一種生長半導(dǎo)體薄膜的低溫型襯底加熱臺的制作方法，其特征在于，所述步驟5中的掩膜板的材質(zhì)為石墨、SUS304不銹鋼、鋁或銅。