[發明專利]一種封裝結構及制作方法

在審

• 申請號: 202011144333.3
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112331799A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 溫質康;喬小平;蘇智昱
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H01L21/77;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;徐劍兵

1.一種封裝結構制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在設置有發光器件的基板上制作第一無機薄膜，所述第一無機薄膜覆蓋所述發光器件；

制作具有凹凸結構的緩沖層，所述凹凸結構至少位于所述緩沖層的頂部側邊上，所述緩沖層覆蓋所述第一無機薄膜；

在凹凸結構的凹陷區填充納米修復顆粒和/或吸水顆粒。

2.根據權利要求1所述的一種封裝結構制作方法，其特征在于，所述凹凸結構的橫截面的形狀為波浪形。

3.根據權利要求1所述的一種封裝結構制作方法，其特征在于，還包括如下步驟：

制作第二無機薄膜，所述第二無機薄膜位于所述緩沖層上，所述第二無機薄膜覆蓋所述凹凸結構，所述第二無機薄膜的上表面平整。

4.根據權利要求1所述的一種封裝結構制作方法，其特征在于，所述“設置有發光器件的基板”通過如下步驟制得：

在基板上制作聚酰亞胺層；

制作薄膜晶體管器件；

制作發光器件，所述發光器件為OLED器件。

5.根據權利要求4所述的一種封裝結構制作方法，其特征在于，在步驟“在基板上制作聚酰亞胺層”后，在步驟“制作薄膜晶體管器件”前，還包括如下步驟：

制作第三無機薄膜，所述第三無機薄膜位于聚酰亞胺層上；

制作第四無機薄膜，所述第四無機薄膜位于所述第三無機薄膜上，所述第四無機薄膜上表面用于設置所述薄膜晶體管器件。

6.一種封裝結構，包括基板和發光器件，所述發光器件設置在所述基板上，其特征在于，還包括第一無機薄膜和緩沖層；

所述第一無機薄膜覆蓋所述發光器件；

所述緩沖層覆蓋所述第一無機薄膜，所述緩沖層上設置有凹凸結構，所述凹凸結構至少位于所述緩沖層的頂部側邊上，在凹凸結構的凹陷區填充納米修復顆粒和/或吸水顆粒。

7.根據權利要求6所述的一種封裝結構，其特征在于，所述凹凸結構的橫截面的形狀為波浪形。

8.根據權利要求6所述的一種封裝結構，其特征在于，還包括第二無機薄膜；

所述第二無機薄膜位于所述緩沖層上，所述第二無機薄膜覆蓋所述凹凸結構，所述第二無機薄膜的上表面平整。

9.根據權利要求6所述的一種封裝結構，其特征在于，還包括聚酰亞胺層和薄膜晶體管器件；

所述聚酰亞胺層設置在所述基板上；

所述薄膜晶體管器件設置在所述聚酰亞胺層上；

所述發光器件設置在所述薄膜晶體管器件上，所述發光器件為OLED器件。

10.根據權利要求9所述的一種封裝結構，其特征在于，還包括第三無機薄膜和第四無機薄膜；

所述第三無機薄膜位于聚酰亞胺層上；

所述第四無機薄膜位于所述第三無機薄膜上，所述第四無機薄膜上表面用于設置所述薄膜晶體管器件。