[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 202011144145.0 | 申請日: | 2016-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN112255889B | 公開(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發明(設計)人: | 林圣人;野口耕平;飯塚建次;飯田成昭 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發明提供在包括多個流體供給路徑的基板處理裝置中,當檢測流過各供給路徑的流體所包含的異物時能夠防止裝置的大型化和制造成本上升的技術。該基板處理裝置包括:測定用的流路部,其為要供給到基板的流體的多個供給路徑各自的一部分,構成流體中的異物的測定區域,彼此排成列地設置;光照射部,共用于上述多個流路部,用于在上述流路部形成光路;移動機構,為了在上述多個流路部中所選擇的流路部內形成光路,使上述光照射部沿著上述流路部的排列方向相對移動;受光部,包括用于接收透射上述流路部的光的受光元件;和檢測部,用于基于從上述受光元件輸出的信號檢測上述流體中的異物。由此,能夠減小必要的光照射部的數量,并實現裝置的縮小化。
技術領域
本發明涉及對基板供給流體來對該基板進行處理的基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術
在半導體器件的制造步驟中的光刻步驟中,對半導體晶圓(以下記作晶圓)供給抗蝕劑等各種藥液來處理晶圓。像這樣供給藥液處理晶圓的藥液供給裝置例如構成為包括藥液的供給源、對晶圓排出藥液的噴嘴和連接噴嘴和供給源的供給路徑。
有時在流過上述供給路徑的藥液中混入顆粒或氣泡等微小的異物。當在抗蝕劑等用于在晶圓進行成膜的藥液中混入氣泡時,形成于晶圓的膜中可能產生缺陷,當混入顆粒時,在光刻步驟后的蝕刻步驟中,該顆粒有可能作為不期望的掩模發揮作用。當發生這樣的成膜的異常和蝕刻的異常時,半導體器件的成品率下降,所以正在研究檢測上述供給路徑中的藥液所包含的異物。例如,在專利文獻1中記載:在藥液供給裝置的供給路徑設置照射激光的照射部和受光部構成的檢測機構,光學地檢測流過該供給路徑的藥液中的氣泡的數量。另外,在專利文獻2中記載有在藥液供給裝置的供給路徑和噴嘴設置檢測變形的傳感器進行氣泡的檢測的技術。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2004-327638號公報
專利文獻2:日本特開2011-181766號公報
發明內容
發明想要解決的技術問題
然而,有時在一個藥液供給裝置中設置多個藥液的供給路徑。例如,作為藥液供給裝置,存在將作為藥液的抗蝕劑涂布在晶圓上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂布裝置,在該裝置中有時設置有多個抗蝕劑的供給路徑,以能夠在晶圓上涂布選自多個種類的抗蝕劑中的一種抗蝕劑。而且,在該抗蝕劑涂布裝置中,如在本發明實施方式中所述的那樣,有時還設置有對晶圓供給用于提高晶圓表面的潤濕性的藥液的供給路徑。
像這樣,在具有多個藥液的供給路徑的裝置中,可以考慮能夠給每個供給路徑設置上述專利文獻1中記載的光學的檢測機構。然而,像這樣給每個供給路徑設置檢測機構時,一般構成該檢測機構的光學系統的尺寸比較大,所以導致藥液供給裝置大型化,裝置的制造成本增加。在專利文獻2中,也沒有示出在藥液供給裝置具有多個供給路徑的情況下,防止裝置的大型化和制造成本的上升的對策。
說明了藥液中混入異物的情況的問題,但在上述的藥液供給裝置等光刻步驟中使用的各種裝置中,對晶圓的處理氣氛供給氣體。在該氣體中混入異物的情況下,還可能與上述的藥液中混入異物的情況一樣發生異常。因此,也在研究對用于將該氣體供給到處理氣氛的供給路徑中的異物進行檢測。
本發明是鑒于這樣的情況而做出的,其目的在于提供在包括對基板供給的流體所流過的多個供給路徑的基板處理裝置中,當檢測流過各供給路徑的流體所包含的異物時,能夠防止裝置的大型化和制造成本的上升的技術。
用于解決技術問題的方案
本發明的基板處理裝置,用于對基板供給流體來對該基板進行處理,上述基板處理裝置的特征在于,包括:
測定用的流路部,其為要供給到上述基板的流體的多個供給路徑各自的一部分,構成流體中的異物的測定區域,彼此排成列地設置;
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