[發明專利]靜電放電保護結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202011143265.9
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112366202A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 王欣;李志國;孫超;江寧
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種靜電放電保護結構，其特征在于，包括：

第一導電類型襯底，所述第一導電類型襯底包括中心區域和環繞所述中心區域的邊緣區域；

第一導電類型阱，所述第一導電類型阱嵌設于所述中心區域，且所述第一導電類型阱的摻雜濃度大于所述第一導電類型襯底；

多個并聯連接的MOS晶體管，所述MOS晶體管包括位于所述第一導電類型阱上的第一MOS晶體管，以及位于所述邊緣區域的第二MOS晶體管；

第一導電類型襯底接觸部，所述第一導電類型襯底接觸部環繞所述邊緣區域。

2.根據權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于：所述中心區域的橫截面積與所述邊緣區域的橫截面積的比值包括1/9～3/2。

3.根據權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于：所述靜電放電保護結構還包括第二導電類型保護環，所述第二導電類型保護環環繞所述邊緣區域，并位于所述第一導電類型襯底接觸部外圍。

4.根據權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于：所述MOS晶體管包括柵極接地MOS晶體管及柵極耦合MOS晶體管中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的靜電放電保護結構，其特征在于：所述邊緣區域還嵌設有第二導電類型摻雜區，且所述第二導電類型摻雜區的摻雜濃度小于所述MOS晶體管中的源漏極摻雜濃度。

6.根據權利要求1～5中任一所述的靜電放電保護結構，其特征在于：所述第一導電類型包括N型或P型。

7.一種靜電放電保護結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供第一導電類型襯底，所述第一導電類型襯底包括中心區域和環繞所述中心區域的邊緣區域；

于所述中心區域形成第一導電類型阱，且所述第一導電類型阱的摻雜濃度大于所述第一導電類型襯底；

形成多個并聯連接的MOS晶體管以及第一導電類型襯底接觸部，其中，所述MOS晶體管包括形成于所述第一導電類型阱上的第一MOS晶體管，以及形成于所述第一導電類型襯底上的第二MOS晶體管；所述第一導電類型襯底接觸部環繞所述邊緣區域。

8.根據權利要求7所述的靜電放電保護結構的制作方法，其特征在于，所述第一導電類型襯底接觸部的摻雜濃度大于所述第一導電類型阱，且形成所述MOS晶體管以及第一導電類型襯底接觸部，包括：

形成所述MOS晶體管的柵極；

形成所述第一導電類型襯底接觸部；

形成所述MOS晶體管的源漏極。

9.根據權利要求7所述的靜電放電保護結構的制作方法，其特征在于，還包括：形成第二導電類型保護環的步驟，所述第二導電類型保護環環繞所述邊緣區域，并位于所述第一導電類型襯底接觸部外圍，且在形成所述MOS晶體管的源漏極時形成所述第二導電類型保護環。

10.根據權利要求7所述的靜電放電保護結構的制作方法，其特征在于：所述中心區域的橫截面積與所述邊緣區域的橫截面積的比值包括1/9～3/2。

11.根據權利要求7所述的靜電放電保護結構的制作方法，其特征在于，還包括：在所述邊緣區域進行第二導電類型摻雜的步驟，且所述第二導電類型摻雜區的摻雜濃度小于所述MOS晶體管中的源漏極摻雜濃度。

12.根據權利要求7所述的靜電放電保護結構的制作方法，其特征在于，所述于所述中心區域形成第一導電類型阱包括：形成高壓第一導電類型阱，并形成所述第一導電類型阱。

13.根據權利要求7～12中任一所述的靜電放電保護結構的制作方法，其特征在于：所述第一導電類型包括N型或P型；所述MOS晶體管包括柵極接地MOS晶體管及柵極耦合MOS晶體管中的至少一種。