[發明專利]一種具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷及其制備方法有效
| 申請號: | 202011142932.1 | 申請日: | 2020-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN112279638B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 張路路;李明陽;王玉寶;宋濤;魏華陽;王浩然;張永翠;徐先豹 | 申請(專利權)人: | 山東工業陶瓷研究設計院有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/468 | 分類號: | C04B35/468;C04B41/88;H01C7/02;C04B35/64;A61N5/06 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 洪秀鳳 |
| 地址: | 255000 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 紅外 性能 ptc 熱敏電阻 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)配制陶瓷漿料,所述陶瓷漿料包括BaTiO3、SiO2、Al2O3、第一摻雜成分和第二摻雜成分;其中,所述陶瓷漿料中BaTiO3、SiO2、Al2O3、第一摻雜成分和第二摻雜成分的摩爾比為:80~90∶1~5∶0.1~0.4∶0.1~0.2∶8~18;
(2)將所述陶瓷料漿進行成型、燒結,制得PTC熱敏電阻陶瓷;
其中,所述第一摻雜成分由Nb2O5、Y2O3、Sb2O3、Ce2O3、La2O3組成,所述第二摻雜成分由SiC、ZrO2組成,所述SiC和ZrO2的摩爾比值為0.8~1.8。
2.根據權利要求1所述的具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于,所述燒結包括還原燒結和氧化燒結。
3.根據權利要求2所述的具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于,所述還原燒結的條件為1230℃-1260℃燒結150min-180min;所述氧化燒結的條件為700℃-800℃燒結40min-180min。
4.根據權利要求1所述的具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于,陶瓷漿料成型步驟為烘干、造粒、壓制成型。
5.根據權利要求4所述的具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷的制備方法,其特征在于,所述烘干條件為80℃-95℃下保溫24h-36h;所述造粒制得的顆粒粒徑為425~600μm;所述壓制成型的壓力為100MPa~180MPa。
6.一種具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷,其特征在于,所述熱敏電阻陶瓷根據權利要求1~5中任一所述的制備方法制備。
7.根據權利要求6所述的具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻陶瓷,其特征在于,所述PTC熱敏電阻陶瓷的紅外輻射率為0.6~0.95,波長為4-14μm,居里溫度為120~262℃。
8.一種具有遠紅外性能的無鉛PTC熱敏電阻器,其特征在于,包括權利要求6所述的PTC熱敏電阻陶瓷。
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