[發(fā)明專利]一種方艙專用電源線路電磁脈沖保護(hù)器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011142926.6 | 申請日: | 2020-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN112310951A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王飛;王楠;魏崇亮 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽環(huán)測檢測技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/02 | 分類號: | H02H9/02;H02H9/08 |
| 代理公司: | 合肥鴻知運知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34180 | 代理人: | 高小改 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市肥*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 專用 電源 線路 電磁 脈沖 保護(hù) | ||
本發(fā)明公開了一種方艙專用電源線路電磁脈沖保護(hù)器,涉及方艙電源保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明中:第一互感儲能單元一側(cè)接入有第一切斷保護(hù)支路;回路線路上設(shè)置有與第一切斷保護(hù)支路電連接的限流繼電保護(hù)器;第一儲能模塊的另一側(cè)獨立連接有第二感應(yīng)回路;第二感應(yīng)回路上連接有分流控制單元;分流控制單元內(nèi)設(shè)有第二儲能模塊、以及與第二儲能模塊電連接的第一MOS導(dǎo)通模塊;第三有源回路上設(shè)置有第二MOS導(dǎo)通模塊;第二MOS導(dǎo)通模塊的一側(cè)設(shè)有泄流支路;接地保護(hù)支路上的主接地電阻兩端接入泄流支路。本發(fā)明能夠?qū)拥乇Wo(hù)支路進(jìn)行大電流釋放,同時也對分段式的主接地電阻形成短路保護(hù),同時避免線路上的不穩(wěn)定狀態(tài)導(dǎo)致的余量電流沖擊。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于方艙電源保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種方艙專用電源線路電磁脈沖保護(hù)器。
背景技術(shù)
方艙是指用各種堅固材料有機的組合在一起,其容積是固定或可擴(kuò)展的具有防護(hù)性能,可供運載的廂式工作間。簡單的說,方艙類似于集裝箱,其標(biāo)準(zhǔn)也是參考集裝箱標(biāo)準(zhǔn)制定的,根據(jù)需求不同,裝載不同的設(shè)備及裝置。與集裝箱對比,方艙具有更高的可靠性、電磁兼容性、氣密性、隔熱性等。
在方艙中進(jìn)行獨立的操作或生存需求時,其電源輸出的穩(wěn)定性尤為重要,保證方艙內(nèi)的電源輸出穩(wěn)定性是保證方艙內(nèi)電子元器件穩(wěn)定運行的重要基礎(chǔ)。在對電源線路進(jìn)行常態(tài)化沖擊保護(hù)時,采取接地保護(hù)是一種較為常見的方式,而接地保護(hù)上設(shè)置接地保護(hù)電阻時,當(dāng)出現(xiàn)持續(xù)或高頻率沖擊或超大電流時會對一些常態(tài)化的低電阻造成損壞,而低阻態(tài)的接地電阻損壞將直接影響常態(tài)化正常接地保護(hù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種方艙專用電源線路電磁脈沖保護(hù)器,從而對接地保護(hù)支路進(jìn)行大電流釋放,同時也對分段式的主接地電阻形成短路保護(hù),同時避免線路上的不穩(wěn)定狀態(tài)導(dǎo)致的余量電流沖擊。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
本發(fā)明為一種方艙專用電源線路電磁脈沖保護(hù)器,包括方艙電源單元,方艙電源單元的電源輸出端包括有若干獨立的輸出線路,包括與輸出線路相配合的回路線路、地線,輸出線路與回路線路之間設(shè)有第一保護(hù)支路,輸出線路與地線之間設(shè)有接地保護(hù)支路,接地保護(hù)支路上設(shè)有第二濾波單元和主接地電阻。
第一保護(hù)支路上設(shè)有第一濾波單元;第一保護(hù)支路上串聯(lián)接入有第一互感儲能單元;第一互感儲能單元內(nèi)包括有第一電壓模塊;第一互感儲能單元內(nèi)包括有第一儲能模塊;第一互感儲能單元一側(cè)接入有第一切斷保護(hù)支路;回路線路上設(shè)置有與第一切斷保護(hù)支路電連接的限流繼電保護(hù)器。
第一儲能模塊的另一側(cè)獨立連接有第二感應(yīng)回路;第二感應(yīng)回路上連接有分流控制單元;分流控制單元內(nèi)設(shè)有第二儲能模塊、以及與第二儲能模塊電連接的第一MOS導(dǎo)通模塊;第一MOS導(dǎo)通模塊一側(cè)連接有第三有源回路;第三有源回路上設(shè)置有第二MOS導(dǎo)通模塊;第二MOS導(dǎo)通模塊的一側(cè)設(shè)有泄流支路;接地保護(hù)支路上的主接地電阻兩端接入泄流支路。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,第一電壓模塊內(nèi)設(shè)有串聯(lián)在第一保護(hù)支路上的第一分壓電阻;第一電壓模塊內(nèi)設(shè)有與第一保護(hù)支路上的第一分壓電阻互感配合的第二分壓電容;第二分壓電容串聯(lián)連接在第二感應(yīng)回路內(nèi)。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,第一儲能模塊與第一保護(hù)支路上的第一分壓電阻并聯(lián)連接。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,第二感應(yīng)回路上設(shè)有與地線相連的保護(hù)支路,該保護(hù)支路上設(shè)有二次接地電阻;第二感應(yīng)回路上設(shè)有與第二分壓電容串聯(lián)的第二回路電阻;第二感應(yīng)回路上設(shè)有位于第一MOS導(dǎo)通模塊導(dǎo)電支路上的第一導(dǎo)通支路電阻。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,第一儲能模塊采用LC儲能電路;第二儲能模塊采用LC儲能電路;第三有源回路內(nèi)設(shè)有提供導(dǎo)通電壓的直流電源。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,第二儲能模塊與第一MOS導(dǎo)通模塊內(nèi)的MOS柵極線路電連接;第三有源回路與第一MOS導(dǎo)通模塊內(nèi)的MOS源極、漏極線路串聯(lián)電連接。
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