[發明專利]LED背板的像素結構、LED顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 202011141650.X | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN112310140B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 張鑫;肖軍城;徐洪遠;費嘉陽;王旭 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;G09F9/33;G09G3/32 |
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| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 背板 像素 結構 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本發明公開了一種LED背板的像素結構、LED顯示面板及其制作方法,包含多個子像素結構,所述子像素結構按照陣列式結構排列,所述LED背板的像素結構至少包含N行M列個所述子像素結構;每個所述子像素結構包括掃描線、數據線、第一電源端、第二電源端、IC驅動芯片以及發光元件;在每個所述子像素結構中,由所述IC驅動芯片來驅動控制所述發光元件。
技術領域
本申請涉及一種顯示器技術領域,尤其涉及一種LED背板的像素結構、LED顯示面板及其制作方法。
背景技術
微型發光二極管(Micro light emitting diode,簡稱Micro-LED)通常是指在傳統LED芯片結構基礎上,將LED芯片尺寸規格縮小到200微米以內的尺寸,將紅、綠、藍三色MicroLED按照一定的規則排列在薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)或互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,簡稱COMS)上,則形成了能夠實現全彩顯示的微器件。此種顯示器具有獨立控制的顯示畫素,具有獨立發光控制、高輝度、低耗電、超高分辨率和超高色彩飽和度等特點,并且Micro-LED微顯示器件由于具有自發光的技術特性,還可以實現柔性、透明顯示等,而其耗電量僅約為液晶面板的10%。MicroLED是新一代顯示技術,是LED微縮化和矩陣化技術,簡單來說,就是將LED背光源進行薄膜化、微小化、陣列化,可以讓LED單元小于100微米,與OLED一樣能夠實現每個圖元單獨定址,單獨驅動發光。Mini/MicroLED(簡稱MLED)顯示技術在近兩年進入加速發展階段,可以使用在中小型高附加價值顯示器應用領域。相較OLED屏幕,MLED顯示可以在成本、對比度、高亮度和輕薄外形上表現出更佳性能。
Micro-LED發展成未來顯示技術的熱點之一,和目前的LCD和OLED顯示器件相比,具有反應快、高色域、高PPI、低能耗等優勢。但其技術難點多且技術復雜,特別是其關鍵技術巨量轉移技術、LED顆粒微型化成為技術瓶頸,而Mini-LED作為Micro-LED與背板結合的產物,具有高對比度、高顯色性能等可與OLED相媲美的特點,成本稍高LCD,僅為OLED的六成左右,相對Micro-LED、OLED更易實施,所以Mini-LED成為各大面板廠商布局熱點。
Mini-LED以及Micro-LED是未來顯示技術發展的一種比較重要的方向,而主動式矩陣驅動方式更能進一步增強Mini-LED和Micro-LED的顯示效果。在目前的技術中,一般的顯示面板中的玻璃基板的主動驅動Mini-LED或Micro-LED采用兩個薄膜晶體管和一個電容的架構,其中采用a-Si/IGZO/LPTS等半導體晶體管作為驅動元件,因此需要復雜的半導體制作工藝流程,且制造成本較高。
發明內容
為了克服現有技術的不足,本申請實施例提供一種LED背板的像素結構、LED顯示面板及其制作方法,使用微型IC驅動芯片來驅動控制發光元件的方式,配合精減的工藝制程來制作主動驅動矩陣。
本發明實施例提供了一種LED背板的像素結構,所述LED背板的像素結構包含多個子像素結構,所述子像素結構按照陣列式結構排列,所述LED背板的像素結構包含N行M列個所述子像素結構;
其中,每個所述子像素結構包括掃描線、數據線、第一電源端、第二電源端、IC驅動芯片以及發光元件;
在每個所述子像素結構中,由所述IC驅動芯片來驅動控制所述發光元件。
根據本發明實施例所提供的LED背板的像素結構,在每個所述子像素結構中,所述掃描線連接所述IC驅動芯片并輸出掃描信號,所述數據線連接所述IC驅動芯片并輸出數據信號,所述第一電源端連接所述IC驅動芯片并輸出第一電源信號,所述第二電源端連接所述IC驅動芯片并輸出第二電源信號,所述發光元件的一端連接所述IC驅動芯片,所述發光元件的另一端連接所述第一電源端。
根據本發明實施例所提供的LED背板的像素結構,M和N均為大于等于2的自然數。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





