[發明專利]吸附方法、載置臺及等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202011141246.2
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112736008A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 松山升一郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01J37/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

提供一種對吸附力的降低進行抑制的吸附方法、載置臺及等離子體處理裝置。該吸附方法用于在具有靜電卡盤的載置臺上對被吸附物進行吸附，所述被吸附物為基板或邊緣環之中的至少一者，該吸附方法包括：在所述靜電卡盤上放置所述被吸附物的步驟；以及向所述靜電卡盤的電極，施加相位彼此不同的2相以上的n相的交流電壓的步驟，其中，所述n相的交流電壓基于自偏置電壓施加。

技術領域

本公開涉及一種吸附方法、載置臺及等離子體處理裝置。

背景技術

已知一種載置臺，其在對基板進行蝕刻處理等所需處理的處理裝置中，對基板進行吸附。

專利文獻1中公開了一種施加交流電壓的靜電卡盤裝置，所述交流電壓為n相的交流電壓，其中n為2以上，該靜電卡盤裝置的特征在于具有：施加該n相交流電壓的電極；由使各電極之間絕緣的絕緣體制成的試樣臺；以及施加所述n相交流電壓的電路。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：(日本)特開2003-332412號公報

發明內容

本發明要解決的問題

在一個方面，本公開提供一種對吸附力的降低進行抑制的吸附方法、載置臺及等離子體處理裝置。

用于解決問題的手段

為了解決上述問題，根據一個實施方式，提供一種吸附方法，用于在具有靜電卡盤的載置臺上對被吸附物進行吸附，所述被吸附物為基板或邊緣環之中的至少一者，該吸附方法包括：在所述靜電卡盤上放置所述被吸附物的步驟；以及向所述靜電卡盤的電極，施加相位彼此不同的2相以上的n相的交流電壓的步驟，其中，所述n相的交流電壓基于自偏置電壓施加。

發明的效果

根據一個方面，能夠提供一種對吸附力的降低進行抑制的吸附方法、載置臺及等離子體處理裝置。

附圖說明

圖1是示出根據一個實施方式的等離子體處理裝置的一個示例的剖面示意圖。

圖2是示出靜電卡盤的電極的布置的一個示例的平面圖。

圖3(a)是示出向電極施加的3相交流電壓的一個示例的曲線圖，圖3(b)是示出施加3相交流電壓時的吸附力的總和的一個示例的曲線圖。

圖4(a)是示出向電極施加的2相交流電壓的一個示例的曲線圖，圖4(b)是示出施加2相交流電壓時的吸附力的總和的一個示例的曲線圖。

圖5是示出施加電壓和傳熱氣體流量的一個示例的曲線圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本公開的實施方式進行說明。在各附圖中，針對相同的構成部分賦予相同的符號，并且有時會省略重復的說明。

[等離子體處理裝置]

參照圖1對根據一個實施方式的等離子體處理裝置1進行說明。圖1是示出根據一個實施方式的等離子體處理裝置1的一個示例的剖面示意圖。根據本實施方式的等離子體處理裝置1是電容耦合型的平行平板基板處理裝置，并且具有腔室10。腔室10例如是由表面被進行陽極氧化處理的鋁制成的圓筒狀的容器，并且接地。