[發(fā)明專(zhuān)利]OLED顯示面板制備方法和OLED顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011141214.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112310332B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐乾坤;張曉星;張良芬 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/56 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/56;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 何輝 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示 面板 制備 方法 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法包括:在形成阻擋層之前,制備一有機(jī)膜層作為犧牲層,圖案化處理犧牲層制備得到作為擋墻成型區(qū)的第一溝槽,然后在所述犧牲層表面形成一阻擋層材料,所述阻擋層材料填充所述第一溝槽,再利用掩膜板圖案化處理阻擋層制備得到高/窄的擋墻結(jié)構(gòu),同時(shí)利用濕法刻蝕工藝去除第一溝槽;通過(guò)在形成阻擋層之前形成犧牲層,形成的擋墻結(jié)構(gòu)的厚度等于犧牲層的厚度加上阻擋層的厚度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種OLED顯示面板制備方法和一種OLED顯示面板。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的OLED顯示面板制備工藝中,在形成像素定義層后,會(huì)形成一阻擋層,所述阻擋層包括多個(gè)擋墻結(jié)構(gòu),由于形成和曝光等工藝的限制,所述阻擋層的厚度難以超過(guò)3微米,而在發(fā)光層的制備中,往往需要至少4微米的擋墻結(jié)構(gòu)來(lái)阻擋量子點(diǎn)墨水的擴(kuò)散,因此,現(xiàn)有OLED顯示面板制備方法存在難以形成高/窄的擋墻結(jié)構(gòu)的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED顯示面板制備方法和一種OLED顯示面板,可緩解現(xiàn)有OLED顯示面板制備方法存在難以形成高/窄的擋墻結(jié)構(gòu)的技術(shù)問(wèn)題。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED顯示面板制備方法,包括:
提供一襯底基板,在所述襯底基板上形成有陣列層、像素定義層;
在所述像素定義層上,制備一有機(jī)膜層,將所述有機(jī)膜層作為犧牲層;
對(duì)所述犧牲層進(jìn)行圖案化處理,制備得到作為擋墻成型區(qū)的第一溝槽;
在所述犧牲層表面形成一層阻擋層材料,所述阻擋層材料填充在所述第一溝槽內(nèi),位于犧牲層表面的阻擋層材料高于所述犧牲層的高度;
利用掩膜板對(duì)所述阻擋層進(jìn)行圖案化處理,制備得到擋墻結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成犧牲層的步驟中,還包括:在所述像素定義層上,制備一層聚酰亞胺材料,形成一聚酰亞胺層,將所述聚酰亞胺層作為犧牲層。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成犧牲層的步驟中,還包括:形成的所述聚酰亞胺層厚度范圍為2微米至3微米。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成一阻擋層的步驟中,還包括:形成的所述阻擋層的厚度范圍為2微米至3微米。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成高/窄的擋墻結(jié)構(gòu)的步驟中,還包括:在所述阻擋層上形成顯影液,再對(duì)所述阻擋層進(jìn)行圖案化處理,去除掉擋墻結(jié)構(gòu)以外區(qū)域的阻擋層。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成高/窄的擋墻結(jié)構(gòu)的步驟中,還包括:形成所述擋墻結(jié)構(gòu)的厚度范圍為4微米至6微米。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成高/窄的擋墻結(jié)構(gòu)的步驟中,還包括:形成所述擋墻結(jié)構(gòu)的寬度范圍為9微米至11微米。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成所述犧牲層之后的步驟中,還包括;在所述犧牲層上制備一有機(jī)膜層,所述有機(jī)膜層作為補(bǔ)償層,所述補(bǔ)償層的厚度范圍為2微米至3微米。
在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED顯示面板制備方法中,在形成所述補(bǔ)償層的步驟中,還包括:所述第二溝槽的制備材料與所述第一溝槽的制備材料相同,對(duì)所述補(bǔ)償層利用圖案化處理制備出第二溝槽。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED顯示面板,包括:襯底基板、陣列層、像素定義層、擋墻結(jié)構(gòu)、發(fā)光功能層、封裝層;其中,所述擋墻結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述像素定義層上,所述擋墻結(jié)構(gòu)用于阻擋量子點(diǎn)墨水的擴(kuò)散,所述擋墻結(jié)構(gòu)的厚度范圍為4微米至6微米。
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