[發明專利]一種基于量子點的太赫茲調制器及制備方法在審
| 申請號： | 202011140474.8 | 申請日： | 2020-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN112394545A | 公開（公告）日： | 2021-02-23 |
| 發明（設計）人： | 劉競博;朱云龍;毛淇;呂賜興 | 申請（專利權）人： | 季華實驗室 |
| 主分類號： | G02F1/015 | 分類號： | G02F1/015;G02F1/017 |
| 代理公司： | 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528200 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 量子 赫茲 調制器 制備 方法 | ||
1.一種基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，包括由下至上依次設置的基底材料層、石墨烯薄膜層、量子點層。
2.根據權利要求1所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，所述基底材料層采用石英基底、PET基底、PDMS襯底、硅基底、鍺基底、GaAs基底的任一種。
3.根據權利要求1或2任一所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，所述基底材料層的電阻率大于1000Ωcm。
4.根據權利要求1或2任一所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，所述基底材料層的厚度為200μm～1000μm。
5.根據權利要求1所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，所述石墨烯薄膜層設置至少一層。
6.根據權利要求5所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，所述石墨烯薄膜層設置1至5層。
7.根據權利要求5或6任一所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，單層石墨烯薄膜層的載流子遷移率為1000～10000 cm/V·S。
8.根據權利要求1所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，所述量子點層包括CdSe量子點、InP量子點、ZnSe量子點、PbS量子點、碳量子點、硅量子點的任一種。
9.根據權利要求1或8任一所述的基于量子點的太赫茲調制器，其特征在于，所述量子點層的光致發光光譜峰值在300 nm～850 nm之間。
10.一種如權利要求1至9任一所述的基于量子點的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：
S1：制備基底材料層；
S2：在基底材料層上設置石墨烯薄膜層；
S3：在石墨烯薄膜層上設置量子點層。
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