[發明專利]納米雙晶銅金屬層及其制備方法及包含其的基板

在審

• 申請號: 202011140407.6
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112921370A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 白志虹;陳耀宗;陳宗詮;鐘時俊
• 申請（專利權）人: 添鴻科技股份有限公司
• 主分類號: C25D5/18
• 分類號: C25D5/18;C25D3/38;C25D21/10;H01L23/498;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉歌

1.一種納米雙晶銅金屬層，其特征在于，該納米雙晶銅金屬層的50％以上的體積包括多個柱狀晶粒，該多個柱狀晶粒彼此間互相連接，至少70％的該多個柱狀晶粒由多個納米雙晶沿著[111]晶軸方向堆疊而成，且相鄰的該多個柱狀晶粒間的夾角大于20度且小于或等于60度。

2.根據權利要求1所述的納米雙晶銅金屬層，其特征在于，該納米雙晶銅金屬層的厚度介于0.1μm至500μm之間。

3.根據權利要求1所述的納米雙晶銅金屬層，其特征在于，每一該多個柱狀晶粒由多個納米雙晶沿著[111]晶軸方向堆疊而成。

4.根據權利要求1所述的納米雙晶銅金屬層，其特征在于，該多個柱狀晶粒的短軸長度分別介于0.1μm至50μm之間。

5.根據權利要求1所述的納米雙晶銅金屬層，其特征在于，該多個柱狀晶粒的厚度分別介于0.01μm至500μm之間。

6.一種納米雙晶銅金屬層的制備方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一電鍍裝置，該裝置包括一陽極、一陰極、一電鍍液、以及一電力供應源，該電力供應源分別與該陽極及該陰極連接，且該陽極及該陰極浸泡于該電鍍液中﹔

以一第一電流密度進行電鍍，其中該第一電流密度介于一系統極限電流密度的0.8至1.0倍之間；以及

以一第二電流密度進行電鍍，其中該第二電流密度介于該系統極限電流密度的0.1至0.6倍之間，以于該陰極的一表面成長如權利要求1至5任一項所述的納米雙晶銅金屬層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，以該第一電流密度的電鍍時間介于1秒至20秒之間。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，電鍍為直流電鍍、高速脈沖電鍍、或直流電鍍與高速脈沖電鍍二者交互使用。

9.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，該陰極為一表面具有一金屬層的基板、或一金屬基板。

10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，該基板為一硅基板、一玻璃基板、一石英基板、一金屬基板、一塑料基板、一印刷電路板、一三五族材料基板、或其層疊基板。

11.一種具有納米雙晶銅金屬層的基板，其特征在于，包括：

一基板；以及

一如權利要求1至5任一項所述的納米雙晶銅金屬層，設置于該基板的表面或內部。

12.根據權利要求11所述的基板，其特征在于，該基板為一硅基板、一玻璃基板、一石英基板、一金屬基板、一塑料基板、一印刷電路板、一三五族材料基板、或其層疊基板。