[發明專利]多層芯片RFC4K超高耐壓GPP軸向快恢復整流二極管在審
| 申請號： | 202011140364.1 | 申請日： | 2020-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN112289786A | 公開（公告）日： | 2021-01-29 |
| 發明（設計）人： | 張劍 | 申請（專利權）人： | 深圳市海弘建業科技有限公司;張劍 |
| 主分類號： | H01L25/18 | 分類號： | H01L25/18;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京化育知識產權代理有限公司 11833 | 代理人： | 涂琪順 |
| 地址： | 518101 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多層 芯片 rfc4k 超高 耐壓 gpp 軸向 恢復 整流二極管 | ||
1.多層芯片RFC4K超高耐壓GPP軸向快恢復整流二極管，其特征在于，包括：
外殼(1)；
銅引線(2)，安裝在外殼(1)的兩側；
GPP芯片，設有若干個，均安裝在外殼(1)內；
固態焊料層(8)，設有若干個，用于焊接兩個相鄰的GPP芯片，并將相鄰GPP芯片之間互相導通，其中位于兩個銅引線(2)相對面的兩個固態焊料層(8)將GPP芯片與銅引線(2)焊接在一起。
2.根據權利要求1所述的多層芯片RFC4K超高耐壓GPP軸向快恢復整流二極管，其特征在于：靠近其中一個所述銅引線(2)的一側的GPP芯片為快速恢復二極管芯片(4)，其余所述GPP芯片為普通二極管芯片(3)。
3.根據權利要求1所述的多層芯片RFC4K超高耐壓GPP軸向快恢復整流二極管，其特征在于：所述GPP芯片包括芯片晶粒部(5)以及位于芯片晶粒部(5)兩側的N面和P面，所述芯片晶粒部(5)的表面設有二氧化硅層(6)。
4.根據權利要求3所述的多層芯片RFC4K超高耐壓GPP軸向快恢復整流二極管，其特征在于：所述P面的面積大于N面的面積或N面的面積大于P面的面積。
5.根據權利要求1所述的多層芯片RFC4K超高耐壓GPP軸向快恢復整流二極管，其特征在于：所述銅引線(2)外側設有鍍錫層(7)。
6.根據權利要求1所述的多層芯片RFC4K超高耐壓GPP軸向快恢復整流二極管，其特征在于：所述外殼(1)為環氧塑封材料。
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