[發(fā)明專利]用于神經(jīng)記錄和光刺激的柔性腦皮層電極及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011140273.8 | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112259570B | 公開(公告)日: | 2022-08-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王明浩;郭幫幫;程瑜華;樊曄;楊文偉;陳穎;王高峰 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學(xué)溫州研究院有限公司;杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L27/146;A61B5/00 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 黃前澤 |
| 地址: | 325024 浙江省溫州市龍*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 神經(jīng) 記錄 刺激 柔性 皮層 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于神經(jīng)記錄和光刺激的柔性腦皮層電極,其特征在于:包括柔性光探針陣列層(1)、柔性粘合層(2)和柔性微LED陣列層(3);柔性粘合層采用透光材料;柔性光探針陣列層(1)上設(shè)置有多個(gè)記錄刺激單元;記錄刺激單元包括由內(nèi)至外同軸設(shè)置的光波導(dǎo)探針(1-3)、記錄電極層(1-4)和保護(hù)層(1-5);光波導(dǎo)探針(1-3)和記錄電極層(1-4)的尖端暴露在外,形成光刺激點(diǎn)和記錄電極點(diǎn);柔性微LED陣列層(3)上設(shè)置有多個(gè)微LED單元(3-1);柔性光探針陣列層(1)與柔性微LED陣列層(3)通過柔性粘合層(2)連接;各個(gè)微LED單元(3-1)與各個(gè)記錄刺激單元分別對齊,使得微LED單元(3-1)發(fā)出的光能夠傳遞到對應(yīng)的光波導(dǎo)探針(1-3)的尖端;
該用于神經(jīng)記錄和光刺激的柔性腦皮層電極的制備過程如下:
S1:在絕緣基片上集成光波導(dǎo)和記錄電極,形成多個(gè)記錄刺激單元,得到柔性光探針陣列層(1);過程如下:
首先在第一塊襯底上形成多根被記錄電極層包裹的光波導(dǎo)探針(1-3),然后在光波導(dǎo)探針(1-3)的端部增設(shè)絕緣基片和記錄導(dǎo)線,使得各光波導(dǎo)探針(1-3)固定在一起,且分別引出信號(hào)線;接著進(jìn)行將第一塊襯底上的器件面對面轉(zhuǎn)移到第二塊襯底上,使得光波導(dǎo)探針(1-3)的尖端露出;之后在光波導(dǎo)探針(1-3)上包裹保護(hù)層最后將第二塊襯底上的器件面對面轉(zhuǎn)移到第三塊襯底上,并將光波導(dǎo)探針(1-3)的光耦合端面暴露出來;
S2:將多個(gè)LED單元鍵合到供電層(3-3),并通過供電導(dǎo)線引出;
S3:粘合柔性光探針陣列層(1)和柔性微LED陣列層(3),并將各微LED單元(3-1)與各光波導(dǎo)探針(1-3)分別對準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于神經(jīng)記錄和光刺激的柔性腦皮層電極,其特征在于:所述的柔性光探針陣列層(1)還包括絕緣基片(1-1)、記錄導(dǎo)線(1-2);各記錄刺激單元呈矩陣狀排布在絕緣基片(1-1)上;絕緣基片(1-1)的材質(zhì)為PI;光波導(dǎo)探針(1-3)的內(nèi)端貫穿絕緣基片(1-1),與柔性微LED陣列層(3)上的對應(yīng)微LED進(jìn)行光耦合;絕緣基片(1-1)上設(shè)置有多根記錄導(dǎo)線(1-2);各記錄電極點(diǎn)經(jīng)記錄電極層(1-4)、單獨(dú)的記錄導(dǎo)線(1-2)引出,實(shí)現(xiàn)記錄信號(hào)的輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于神經(jīng)記錄和光刺激的柔性腦皮層電極,其特征在于:所述的柔性微LED陣列層(3)還包括供電層(3-3);各微LED單元(3-1)呈矩陣狀排布在供電層(3-3)上;供電層(3-3)內(nèi)設(shè)置有多根供電導(dǎo)線;各個(gè)微LED單元(3-1)的陰極、陽極分別通過對應(yīng)的供電導(dǎo)線引出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于神經(jīng)記錄和光刺激的柔性腦皮層電極,其特征在于:所述的微LED單元(3-1)與供電層(3-3)通過ACF熱壓鍵合或通過超聲鍵合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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