[發(fā)明專利]等離子體切單的、污染物減少的半導(dǎo)體管芯

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011139738.8
• 申請(qǐng)日: 2020-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN112701062A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪正杓;莫哈默德阿克巴爾莫哈默德薩姆;G·M·格里弗納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/78
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯包括：

襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對(duì)；

第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部，所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部形成在所述襯底的在所述第一表面與所述第二表面之間的側(cè)壁中，所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自具有至多第一深度；和

第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部，所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部形成在所述襯底的所述側(cè)壁中并且設(shè)置在所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部與所述第二表面之間，所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自具有至少第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自具有至多第一寬度，并且其中所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自具有至少第二寬度，所述第二寬度大于所述第一寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部沿著所述半導(dǎo)體管芯的第一長(zhǎng)度在所述第一表面與所述第二表面之間延伸，并且其中所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部沿著第二長(zhǎng)度從所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部延伸到所述第二表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述第二深度為所述第一深度的至少兩倍。

5.一種半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯包括：

襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對(duì)；

第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部，所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部形成在所述襯底的側(cè)壁中并且從所述第一表面沿著所述側(cè)壁的第一長(zhǎng)度延伸，所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自限定至多第一深度；和

第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部，所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部形成在所述襯底的所述側(cè)壁中并且沿著所述側(cè)壁的第二長(zhǎng)度在所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部與所述第二表面之間延伸，所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自限定至少第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體管芯，其中所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自具有至多第一寬度，并且其中所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自具有至少第二寬度，所述第二寬度大于所述第一寬度。

7.一種制造半導(dǎo)體管芯的方法，所述方法包括：

在襯底的側(cè)壁中形成第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部，并且使所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部沿著所述側(cè)壁的第一長(zhǎng)度從所述襯底的第一表面延伸，所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自限定至多第一深度；以及

在所述襯底的所述側(cè)壁中形成第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部，并且使所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部沿著所述側(cè)壁的第二長(zhǎng)度在所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部與所述襯底的第二表面之間延伸，所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部各自限定至少第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部包括：以第一工藝參數(shù)執(zhí)行第一處理循環(huán)，并且進(jìn)一步地，其中形成所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部包括：以第二工藝參數(shù)執(zhí)行第二處理循環(huán)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一處理循環(huán)和所述第二處理循環(huán)包括鈍化層的沉積、各向異性蝕刻和各向同性蝕刻。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一工藝參數(shù)包括以下項(xiàng)中的一者或多者：各向同性蝕刻時(shí)間，所述各向同性蝕刻時(shí)間小于所述第二工藝參數(shù)的各向同性蝕刻時(shí)間；各向同性蝕刻流速，所述各向同性蝕刻流速小于所述第二工藝參數(shù)的各向同性蝕刻流速：以及各向同性蝕刻功率電平，所述各向同性蝕刻功率電平小于所述第二工藝參數(shù)的各向同性蝕刻功率電平。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括：

沖洗所述半導(dǎo)體管芯以從所述第一多個(gè)側(cè)壁凹陷部和從所述第二多個(gè)側(cè)壁凹陷部去除鈍化層部分。