[發(fā)明專利]應(yīng)用于圖像傳感器的接觸孔形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011139697.2
• 申請(qǐng)日: 2020-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN112259568B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張棟;黃鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種應(yīng)用于圖像傳感器的接觸孔形成方法，其特征在于，所述方法包括：

形成傳輸柵極結(jié)構(gòu)，所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)包括多晶硅柵和柵極側(cè)墻；

在所述傳輸柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)進(jìn)行源漏區(qū)離子注入，形成源漏區(qū)；

在所述柵極側(cè)墻的外側(cè)形成輔助側(cè)墻，輔助側(cè)墻與相鄰的柵極側(cè)墻的材料相同；

依次形成金屬硅化物阻擋層、刻蝕阻擋層、層間介質(zhì)層；

通過光刻工藝定義源漏區(qū)接觸孔圖案；

通過刻蝕工藝依次去除所述源漏區(qū)接觸孔圖案對(duì)應(yīng)的層間介質(zhì)層、刻蝕阻擋層；

采用預(yù)定刻蝕選擇比刻蝕所述金屬硅化物阻擋層，形成源漏區(qū)接觸孔；

其中，在刻蝕金屬硅化物阻擋層的過程中，所述金屬硅化物阻擋層的刻蝕速率大于輔助側(cè)墻的刻蝕速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在柵極側(cè)墻外側(cè)形成輔助側(cè)墻，包括：

形成氮化硅層；

對(duì)所述氮化硅層進(jìn)行回刻蝕，在所述柵極側(cè)墻的外側(cè)形成預(yù)定寬度的輔助側(cè)墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述輔助側(cè)墻的寬度范圍為100A至500A。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成氮化硅層，包括：

采用CVD方式在襯底上沉積氮化硅，形成氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，沉積形成的氮化硅層的厚度范圍為200A至500A。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬硅化物阻擋層的材料為氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材料為氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成傳輸柵極結(jié)構(gòu)之前，所述方法還包括：

在襯底中形成光電二極管。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一所述的方法，其特征在于，應(yīng)用于65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)。