[發明專利]應用于圖像傳感器的接觸孔形成方法

有效

• 申請號: 202011139697.2
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112259568B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 張棟;黃鵬
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種應用于圖像傳感器的接觸孔形成方法，其特征在于，所述方法包括：

形成傳輸柵極結構，所述傳輸柵極結構包括多晶硅柵和柵極側墻；

在所述傳輸柵極結構兩側進行源漏區離子注入，形成源漏區；

在所述柵極側墻的外側形成輔助側墻，輔助側墻與相鄰的柵極側墻的材料相同；

依次形成金屬硅化物阻擋層、刻蝕阻擋層、層間介質層；

通過光刻工藝定義源漏區接觸孔圖案；

通過刻蝕工藝依次去除所述源漏區接觸孔圖案對應的層間介質層、刻蝕阻擋層；

采用預定刻蝕選擇比刻蝕所述金屬硅化物阻擋層，形成源漏區接觸孔；

其中，在刻蝕金屬硅化物阻擋層的過程中，所述金屬硅化物阻擋層的刻蝕速率大于輔助側墻的刻蝕速率。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在柵極側墻外側形成輔助側墻，包括：

形成氮化硅層；

對所述氮化硅層進行回刻蝕，在所述柵極側墻的外側形成預定寬度的輔助側墻。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述輔助側墻的寬度范圍為100A至500A。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成氮化硅層，包括：

采用CVD方式在襯底上沉積氮化硅，形成氮化硅層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，沉積形成的氮化硅層的厚度范圍為200A至500A。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬硅化物阻擋層的材料為氧化物。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為氮化硅。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述層間介質層的材料為氧化物。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成傳輸柵極結構之前，所述方法還包括：

在襯底中形成光電二極管。

10.根據權利要求1至9任一所述的方法，其特征在于，應用于65nm技術節點。