[發明專利]顯示屏、電子裝置和制造方法在審
| 申請號: | 202011139129.2 | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN112259589A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 張健民 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 邵泳城 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示屏 電子 裝置 制造 方法 | ||
本申請實施方式的一種顯示屏包括基板、多個第一像素單元和多個第二像素單元。所述基板包括第一區域和第二區域。本申請實施方式的顯示屏、電子裝置和顯示屏的制造方法中,所述第一發光單元設置于所述第一驅動電路上,并且與所述第一驅動電路一同被設置于所述第一區域,這樣可以避免在第一區域上整體鋪設驅動電路,防止整體鋪設的驅動電路遮擋光線;另外,所述第一發光單元在所述基板上的投影面積小于所述第二發光單元在所述基板上的投影面積,這樣也可以使得第一發光單元所占面積較小,在保證顯示屏的顯示效果的基礎上提高了顯示屏與第一區域對應的區域的透光率。
技術領域
本申請涉及手機設備領域,更具體而言,涉及一種顯示屏、電子裝置、顯示屏的制造方法和像素單元的制造方法。
背景技術
目前,全面屏手機已經成為主流手機。在相關技術中,可以將指紋傳感器、攝像頭等光感器件設置在顯示屏下方,以使手機實現全面屏的效果。為了提高顯示屏與光感器件對應的部分的透光率,一般采用降低該部分的像素密度的方式。然而,影響了顯示屏的整體顯示效果。
發明內容
本申請實施方式提供了一種顯示屏、電子裝置和顯示屏的制造方法。
本申請實施方式的一種顯示屏包括基板、多個第一像素單元和多個第二像素單元。所述基板包括第一區域和第二區域。每個所述第一像素單元包括第一發光單元以及用于驅動所述第一發光單元發光的第一驅動電路,所述第一發光單元設置于所述第一驅動電路上,并且與所述第一驅動電路一同被設置于所述第一區域。每個所述第二像素單元包括第二發光單元,所述第二發光單元設置在所述第二區域。所述第二驅動電路用于驅動所述第二發光單元發光,所述第二發光單元包括有機發光二極管。所述第一發光單元在所述基板上的投影面積小于所述第二發光單元在所述基板上的投影面積。
本申請實施方式的一種電子裝置包括上述實施方式的顯示屏和感光元件,所述感光元件設置在所述第一顯示區下方。
本申請實施方式的一種顯示屏的制造方法包括:提供基板,所述基板包括第一區域和第二區域。提供多個第一像素單元,所述第一像素單元包括第一發光單元以及用于驅動所述第一發光單元發光的第一驅動電路,所述第一發光單元設置于所述第一驅動電路上。將所述第一發光單元和所述第一驅動電路一同轉移安裝在所述第一區域。在所述第二區域上設置多個第二像素單元,每個所述第二像素單元包括第二發光單元,第二驅動電路用于驅動所述第二發光單元發光,所述第一發光單元在所述基板上的投影面積小于所述第二發光單元在所述基板上的投影面積。封裝所述多個第二像素單元以使所述多個第二像素單元封裝在封裝層內。
本申請實施方式的一種顯示屏的制造方法包括:提供基板,所述基板包括第一區域和第二區域。提供第一驅動電路。在所述第一驅動電路生長形成第一發光單元。將所述第一發光單元和所述第一驅動電路一同轉移安裝在所述第一區域。在所述第二區域上設置多個第二像素單元,每個所述第二像素單元包括第二發光單元,第二驅動電路用于驅動所述第二發光單元發光,所述第一發光單元在所述基板上的投影面積小于所述第二發光單元在所述基板上的投影面積。
本申請實施方式的一種像素單元的制造方法包括:提供第一晶圓。在所述第一晶圓上形成所述第一驅動電路。在所述第一驅動電路上形成間隔設置的多個第一發光單元。切割所述第一晶圓以得到第一像素單元單體。
本申請實施方式的顯示屏、電子裝置和制造方法中,所述第一發光單元設置于所述第一驅動電路上,并且與所述第一驅動電路一同被設置于所述第一區域,這樣可以避免在第一區域上整體鋪設驅動電路,防止整體鋪設的驅動電路遮擋光線;另外,所述第一發光單元在所述基板上的投影面積小于所述第二發光單元在所述基板上的投影面積,這樣也可以使得第一發光單元所占面積較小,在保證顯示屏的顯示效果的基礎上提高了顯示屏與第一區域對應的區域的透光率。
本申請的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本申請的實踐了解到。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





