[發明專利]一種快速生長InSb單晶的方法

在審

• 申請號: 202011138796.9
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112126982A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 于凱;徐世海;王健;洪穎;霍曉青;劉莎莎;張嵩;李強;程紅娟
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B15/00;C30B15/36
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 王鳳英

1.一種快速生長InSb單晶的方法，其特征在于：所述方法包括引晶晶錠的選擇、引晶晶錠的處理和引晶過程，具體步驟如下：

一、首先選取一個InSb單晶晶錠作為引晶晶錠，引晶晶錠由兩部分組成：一是籽晶方柱；二是引晶晶錠具有滿足放肩過程的晶體，即放肩部分晶錠；放肩角度為30-45o之間，放肩部分晶錠底部的寬頸部分直徑不小于50mm；

二、對引晶晶錠底部進行切磨拋處理，以保證底部表面基本平坦，并進行清洗，以保證底面的清潔度；

三、引晶過程：將籽晶方柱上端固定在籽晶桿上，并連接于提拉裝置上；將引晶晶體底部的寬頸部位浸入InSb熔體，當引晶晶體底面接觸熔體之后緩慢浸入，待引晶晶體底面和熔體完全融合時啟動提拉裝置，初始拉速為8-10mm/h，將加熱功率降低0.1-0.4%，待新生晶體達到目標尺寸時，保持加熱功率不變，拉速提升至12-15mm/h，等待晶錠底面和熔體出現融合的狀態時完成引晶過程；

四、進入等徑快速的單晶生長階段。