[發明專利]從廢舊含砷化鎵LED電子器件中浸出鎵、砷，并同時回收金屬銀的方法和應用

有效

• 申請號: 202011138338.5
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112280986B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 詹路;許振明;張永亮
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C22B7/00
• 分類號: C22B7/00;C22B58/00;C22B30/04;C22B11/00
• 代理公司: 上海德禾翰通律師事務所 31319
• 代理人: 夏思秋

1.一種從廢舊LED電子器件中浸出鎵、砷，并同時回收金屬銀的方法，其特征在于，將廢舊含砷化鎵LED電子器件的兩種封裝材料分別經過兩次水熱處理，從而去除LED電子器件的封裝材料，而后經過真空抽濾將固液分離，從而得到鎵與砷的浸出液以及銀質金屬引線；

所述方法具體包括以下步驟：

(1)將廢舊LED電子器件放入反應釜中，加入水以及氧化劑，構成水熱氧化體系；

(2)打開反應釜電控箱開關，設置一次水熱處理的反應釜各參數，開啟反應釜加熱開關，進行反應得水熱液；

(3)將步驟(2)所述反應獲得的水熱液用篩網篩分并進行磁選，得到LED電子器件的金屬引腳與透明封裝材料；

(4)將水以及氧化劑加入上述步驟(3)所得到的透明封裝材料中進行二次水熱處理，設置反應釜各參數，進行反應得水熱浸出液；

(5)將上述步驟(4)所得到的水熱浸出液進行真空抽濾，得到鎵與砷的浸出液以及固體銀質金屬引線。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述氧化劑選自臭氧、氧氣、芬頓體系、次氯酸鈉、雙氧水中的一種或多種；和/或，所述水選自去離子水、超純水、自來水、地下水中的一種或多種；和/或，所述氧化劑的添加量為所述水熱氧化體系總體積的2～4％。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(1)中，廢舊LED電子器件、去離子水、氧化劑的質量比為(0.1-3)：(100-250)：(1-20)。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述反應的溫度為230～260℃；和/或，所述反應的時間為6～20min；和/或，所述反應釜的轉速為200～500r/min。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(3)中，所述篩網的目數為40～100目。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)中，所述水選自去離子水、超純水、自來水、地下水中的一種或多種；和/或，所述氧化劑選自臭氧、氧氣、芬頓體系、次氯酸鈉、雙氧水中的一種或多種；和/或，所述氧化劑的添加量為水與氧化劑總體積的1％-3％；和/或，所述透明封裝材料、水、氧化劑的質量比為(0.1-2.0)：(150-250)：(2-6)。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)中，所述水熱反應的溫度為290～350℃；和/或，所述反應的時間為60～300min；和/或，所述反應釜的轉速為200～500r/min。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(5)中，所述鎵與砷的浸出效率分別大于80.5％及98.4％；和/或，所述銀的回收率大于99.9％。

9.如權利要求1-8之任一項所述的方法在從廢舊含砷化鎵LED電子器件中浸出鎵、砷，并同時回收金屬銀中的應用。