[發(fā)明專利]一種MOCVD裝置及其托盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011138297.X | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN112267103B | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅軼;張健;郭慶霞;易斌 | 申請(專利權(quán))人: | 北京創(chuàng)盈光電醫(yī)療科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 韓靜粉 |
| 地址: | 100176 北京市北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mocvd 裝置 及其 托盤 | ||
本發(fā)明公開了一種MOCVD裝置及其托盤,用于放置襯底,其特征在于,包括:托盤主體,所述托盤主體具有錐形安裝孔;托盤組件,所述托盤組件用于與所述襯底的底面貼合,所述托盤組件能夠與所述托盤主體的錐形安裝孔配合且能夠沿所述錐形安裝孔的軸向移動,在所述托盤組件相對于所述托盤主體移動過程中能夠使所述襯底的底面外露。在取放襯底過程中,可保證襯底的底面外露,通過接觸襯底的底面實現(xiàn)取放,不需要接觸襯底的正面,保證了襯底的正面的質(zhì)量;此外,通過移動托盤組件則不需要在托盤上開設(shè)孔位,保證了托盤內(nèi)溫度的均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種MOCVD裝置及其托盤。
背景技術(shù)
金屬有機氣相化學(xué)沉積(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition,簡稱MOCVD)設(shè)備,廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、氧化鋅等功能結(jié)構(gòu)材料的制備,適合規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。MOCVD生長是以有機金屬氣源(MO源)為反應(yīng)物質(zhì),通過氮氣或氫氣載氣攜帶到反應(yīng)室內(nèi),在一定壓力、溫度條件下,在襯底上沉積化合物半導(dǎo)體薄膜,即外延片。
現(xiàn)有的MOCVD自動化取放襯底片時,主要是利用機械手進入工藝腔,但是機械手不能和襯底的正面直接接觸,需要通過工藝腔的機構(gòu)配合完成取放動作。目前通常采用伯努利吸盤取放襯底片,但是托盤上需要設(shè)置多個通孔配合伯努利吸盤,防止由于襯底與托盤之間的密封區(qū)域形成負壓影響取片成功率,但是通孔會影響托盤表面溫度均勻性,對工藝結(jié)果造成一定影響。
因此,如何提供一種MOCVD裝置的托盤,提高取放襯底片的成功率,保證工藝結(jié)果,是本技術(shù)領(lǐng)域人員亟待解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種MOCVD裝置的托盤,提高取放襯底片的成功率,保證工藝結(jié)果。本發(fā)明還提供了一種具有上述托盤的MOCVD裝置。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種MOCVD裝置的托盤,用于放置襯底,其包括:
托盤主體,所述托盤主體具有錐形安裝孔;
托盤組件,所述托盤組件用于與所述襯底的底面貼合,所述托盤組件能夠與所述托盤主體的錐形安裝孔配合且能夠沿所述錐形安裝孔的軸向移動,在所述托盤組件相對于所述托盤主體移動過程中能夠使所述襯底的底面外露。
優(yōu)選的,上述的托盤中,所述托盤主體具有能夠與所述襯底配合安裝的襯底安裝孔,所述襯底安裝孔與所述錐形安裝孔對接。
優(yōu)選的,上述的托盤中,所述襯底安裝孔與所述錐形安裝孔的大端對接,并且所述襯底安裝孔的徑向尺寸大于所述錐形安裝孔的大端的徑向尺寸并形成臺階段,所述錐形安裝孔的大端的徑向尺寸大于所述錐形安裝孔的小端的徑向尺寸。
優(yōu)選的,上述的托盤中,所述托盤主體在所述錐形安裝孔的小端設(shè)置用于支撐所述托盤組件的臺階面。
優(yōu)選的,上述的托盤中,所述襯底安裝孔與所述錐形安裝孔的小端相對,并且所述襯底安裝孔的徑向尺寸不大于所述錐形安裝孔小端的徑向尺寸。
優(yōu)選的,上述的托盤中,所述襯底安裝孔內(nèi)設(shè)置有用于支撐所述襯底的臺階結(jié)構(gòu)。
一種MOCVD裝置,包括具有加熱系統(tǒng)和托盤的反應(yīng)腔,其中,所述托盤為上述任一項所述的托盤。
優(yōu)選的,上述的MOCVD裝置中,所述托盤為兩個,且結(jié)構(gòu)相同,并分布在所述加熱系統(tǒng)的兩側(cè)。
優(yōu)選的,上述的MOCVD裝置中,所述托盤為兩個,分別為:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





