[發明專利]電源并聯輸出控制電路及其控制方法在審
| 申請號: | 202011138239.7 | 申請日: | 2020-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN112332660A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 王鴻雁;陶軍 | 申請(專利權)人: | 上海熹源電氣有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/156 | 分類號: | H02M3/156;H02M1/14 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 楊楷 |
| 地址: | 201313 上海市浦東新區萬*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電源 并聯 輸出 控制電路 及其 控制 方法 | ||
1.一種電源并聯輸出控制電路,其特征在于,包括運算放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、電容以及金屬-氧化物半導體場效應晶體管,所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻以及所述電容形成所述電源并聯輸出控制電路的阻抗網絡,對所述電源并聯輸出控制電路進行濾波和反饋環路補償,所述運算放大器實時調節所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管,從而所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上恒定等于設定參考電壓。
2.如權利要求1所述的電源并聯輸出控制電路,其中當所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上小于設定參考電壓時,所述運算放大器的輸出電壓降低,直至所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上恒定等于設定參考電壓。
3.如權利要求2所述的電源并聯輸出控制電路,其中當所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上小于設定參考電壓時,所述運算放大器控制所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管趨向關斷,直至所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上恒定等于設定參考電壓。
4.如權利要求1所述的電源并聯輸出控制電路,其中當所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上大于設定參考電壓時,所述運算放大器的輸出電壓升高,直至所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上恒定等于設定參考電壓。
5.如權利要求4所述的電源并聯輸出控制電路,其中當所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上大于設定參考電壓時,所述運算放大器控制所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管趨向開通,直至所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上恒定等于設定參考電壓。
6.如權利要求1所述的電源并聯輸出控制電路,其中所述電源并聯輸出控制電路采用反饋控制,調節所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管的門極電壓,使得所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管的工作兩端電壓穩定在設定值。
7.如權利要求1至6中任一所述的電源并聯輸出控制電路,其中所述電源并聯輸出控制電路還包括實時監控電路模塊,所述實時監控電路模塊實時反饋所述電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差。
8.如權利要求7所述的電源并聯輸出控制電路,其中當輸入電壓和輸出電壓的電壓差和設定參考電壓不相同時,所述實時監控電路模塊報警反饋,從而能夠監控所述運算放大器是否能夠在正常工作狀態下,實時調節所述金屬-氧化物半導體場效應晶體管的驅動電壓。
9.一種電源并聯輸出控制電路的控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
預先設定電源并聯輸出控制電路的設定參考電壓值;
當電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差值在數值上大于設定參考電壓值時,運算放大器的輸出電壓升高,使得金屬-氧化物半導體場效應晶體管趨向開通,電源并聯輸出控制電路的輸出電壓升高,直至電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上恒定等于設定參考電壓值;
以及
當電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差值在數值上小于設定參考電壓值時,運算放大器的輸出電壓降低,使得金屬-氧化物半導體場效應晶體管趨向關斷,電源并聯輸出控制電路的輸出電壓降低,直至電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差在數值上恒定等于設定參考電壓值。
10.如權利要求9所述的電源并聯輸出控制電路的控制方法,其中還包括以下步驟:實時監測并反饋電源并聯輸出控制電路的輸入電壓和輸出電壓的電壓差值,當該電壓差值和設定參考電壓值不相同時,報警反饋,從而能夠監控運算放大器是否能夠在正常工作狀態下,實時調節金屬-氧化物半導體場效應晶體管的驅動電壓。
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