[發明專利]一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備方法和系統在審
| 申請號： | 202011137576.4 | 申請日： | 2020-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN112271235A | 公開（公告）日： | 2021-01-26 |
| 發明（設計）人： | 上官泉元;閆路 | 申請（專利權）人： | 江蘇杰太光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集智東方知識產權代理有限公司 11578 | 代理人： | 吳倩 |
| 地址： | 225500 江蘇省泰州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 topcon 太陽能電池 氧化 制備 方法 系統 | ||
1.一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1.首先將硅片平放在載板(10)上并輸送進入工藝腔(20)；
S2.硅片進入工藝腔(20)后，先將工藝腔(20)抽真空；
S3.然后向抽真空后的工藝腔(20)內通入工藝氣體，并對工藝氣體和硅片同時快速加熱至反應溫度，工藝氣體在高溫低壓真空中與硅片表面快速反應生成超薄的氧化硅薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備方法，其特征在于，步驟S1中，平放有硅片的載板(10)連續經過工藝腔(20)實現動態生長氧化硅薄膜，或者在工藝腔(20)內暫停實現靜態生長氧化硅薄膜。
3.根據權利要求1所述的一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備方法，其特征在于，步驟S2中，工藝腔(20)內的真空壓強為1-30Pa。
4.根據權利要求1所述的一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備方法，其特征在于，步驟S3中，工藝氣體為氧氣或臭氧；加熱方式采用高功率加熱器直接加熱并使加熱面積大于載板(10)的面積，且反應溫度迅速升至550-800℃，工藝氣體在高溫低壓真空環境中形成高溫氧化區域并與硅片表面快速反應生成超薄的氧化硅薄膜。
5.根據權利要求1所述的一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備方法，其特征在于，步驟S3中，氧化硅薄膜的厚度為1-2nm，從而具備鈍化隧穿的功能，實現載流子的選擇性遂穿和運輸。
6.一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備系統，其特征在于，包括輸送系統及反應系統；
所述輸送系統包括水平輸送線及水平設置在所述水平輸送線上的載板(10)，硅片平放在所述載板(10)上；
所述反應系統包括工藝腔(20)，用于將所述工藝腔(20)抽真空的真空設備(30)，用于向所述工藝腔(20)內通入工藝氣體的供氣設備(40)，以及設置在所述工藝腔(20)內上端的加熱裝置(50)。
7.根據權利要求6所述的一種TOPCon太陽能電池氧化硅層的制備系統，其特征在于，所述加熱裝置(50)為高功率紅外加熱器、高功率微波加熱器、高功率激光加熱器中的一種或多種并陣列設置以全覆蓋所述載板(10)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
