[發明專利]一種腔式光子晶體選擇性吸收輻射器在審
| 申請號： | 202011136957.0 | 申請日： | 2020-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN112344571A | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | 蔡琦琳;吳璽;葉慶 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | F24S20/20 | 分類號： | F24S20/20;F24S23/30;F24S70/16;F24S70/20 |
| 代理公司： | 北京潤川律師事務所 11643 | 代理人： | 張超 |
| 地址： | 215006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光子 晶體 選擇性 吸收 輻射器 | ||
1.一種腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，吸收輻射器為具有進光口的腔體結構，所述進光口的內徑小于所述腔體結構的內徑。
2.根據權利要求1所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述腔體結構為球形或橢圓形。
3.根據權利要求1或2所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述進光口處設置有篩選太陽光波段的選擇性透射膜，所述選擇性透射膜由硅層和二氧化硅層交替層疊形成。
4.根據權利要求3所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述硅層的厚度為100-300nm，所述二氧化硅層的厚度為200-800nm，所述選擇性透射膜的周期為3。
5.根據權利要求1所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述腔體中心區域設置有均勻分散入射光的光分散裝置。
6.根據權利要求5所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述光分散裝置為毛玻璃。
7.根據權利要求1所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述腔體結構由基體材料制成，所述基體材料為碳化硅陶瓷材料。
8.根據權利要求1所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述腔體結構內表面沉積有硫酸鋇涂層形成的內壁涂層，所述內壁涂層厚度為100-300μm。
9.根據權利要求1所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述腔體結構外表面沉積有鎢層和二氧化鉿層交替層疊形成的光子晶體層。
10.根據權利要求9所述的腔式光子晶體選擇性吸收輻射器，其特征在于，所述鎢層厚度為10-30nm，所述二氧化鉿層厚度為60-120nm，所述光子晶體層的周期為3。
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