[發明專利]二維材料限域摻雜條件下HMX/ANPyO共晶的制備方法有效
| 申請號： | 202011135085.6 | 申請日： | 2020-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN112266311B | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 嚴啟龍;薛智華;張雪雪;黃彬彬;何偉 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C06B25/34 | 分類號： | C06B25/34;C06B21/00 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維 材料 摻雜 條件下 hmx anpyo 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種二維材料限域摻雜條件下HMX/ANPyO共晶的制備方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：將TAGN加入到DMSO中形成飽和溶液，加熱到25～140℃，攪拌至TAGN完全溶解；
步驟2：將HMX、ANPyO加入到步驟1制備的溶液中,在25～140℃溫度下攪拌0.5～1.5h，至HMX和ANPyO完全溶解；所述TAGN與HMX的摩爾比為1:3～1:7；所述HMX與ANPyO的摩爾比為2:1至8:1；
步驟3：再加入乙二醛，在加熱70～150℃條件下攪拌0.5～1h形成二維共軛結構材料；
步驟4：繼續在攪拌條件下加入體積為步驟1中的DMSO二倍的蒸餾水，析出固體產物；
步驟5：將步驟4得到的固體產物真空干燥或抽濾、干燥得到二維材料限域摻雜條件下HMX/ANPyO共晶。
2.根據權利要求1所述二維材料限域摻雜條件下HMX/ANPyO共晶的制備方法，其特征在于：所述奧克托金HMX替換為硝胺炸藥黑索金RDX、雙環奧克托今BCHMX或六硝基六氮雜異伍茲烷CL-20中的一種。
3.根據權利要求1所述二維材料限域摻雜條件下HMX/ANPyO共晶的制備方法，其特征在于：所述步驟4中加蒸餾水時溫度為140℃或室溫。
4.根據權利要求1所述二維材料限域摻雜條件下HMX/ANPyO共晶的制備方法，其特征在于：所述步驟4中攪拌速率為1000r/min。
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