[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 202011134955.8
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112366131B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 葉國梁
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

獲取預處理半導體結構，所述預處理半導體結構包括具有第一暴露面的金屬層，所述金屬層的第一暴露面具有凸起部；所述凸起部為探針插入所述金屬層的第一暴露面形成的；

在所述金屬層的第一暴露面設置保護層，所述保護層至少覆蓋所述金屬層除所述凸起部以外的其它部分；

去除所述凸起部以在所述金屬層上形成所述金屬層的第二暴露面_；

在所述第一暴露面的所在區域上形成介質層，且所述介質層完全覆蓋所述第一暴露面的所在區域。

2.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述獲取預處理半導體結構的步驟包括：

提供半導體結構，所述半導體結構包括襯底、設置于所述襯底表面的覆蓋層以及設置于所述覆蓋層內的金屬層；

對所述覆蓋層進行開口，從而使所述金屬層暴露形成所述第一暴露面；

將探針插入所述金屬層的第一暴露面，對所述半導體結構進行電性測試，使得所述金屬層的第一暴露層表面形成所述凸起部。

3.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述獲取預處理半導體結構的步驟包括：

提供半導體結構，所述半導體結構包括襯底、設置于所述襯底表面的金屬層，所述金屬層暴露的表面為第一暴露面；

將探針插入所述金屬層第一暴露面，對所述半導體結構進行電性測試，使得所述金屬層表面形成所述凸起部。

4.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述在所述金屬層的第一暴露面設置保護層的步驟包括：

在所述金屬層的第一暴露面上沉積所述保護層，其中，覆蓋所述凸起部的所述保護層的厚度小于覆蓋所述金屬層除所述凸起部以外的其它部分的所述保護層的厚度。

5.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述在所述金屬層的第一暴露面上沉積所述保護層的方法為化學氣相沉積法，所述保護層為二氧化硅層或氮化硅層。

6.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述去除所述凸起部以在所述金屬層上形成所述金屬層的第二暴露面的步驟包括：

通過干法刻蝕去除所述凸起部上覆蓋的所述保護層形成暴露凸起部，同時減薄覆蓋所述金屬層除所述凸起部以外的其它部分的所述保護層；

對所述暴露凸起部進行濕法刻蝕以在所述金屬層上形成所述金屬層第二暴露面。

7.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述去除所述凸起部以在所述金屬層上形成所述金屬層的第二暴露面的步驟包括：通過切割去除所述凸起部，或通過切割去除所述凸起部和所述凸起部上覆蓋的所述保護層。

8.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一暴露面的所在區域上形成介質層，且所述介質層完全覆蓋所述第一暴露面的所在區域的步驟之后進一步包括：對所述介質層進行表面平坦化。

9.根據權利要求8所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述對所述介質層進行表面平坦化的步驟之后進一步包括：在所述介質層上設置導電插塞，所述導電插塞的一端與所述金屬層電連接，所述導電插塞將所述金屬層進行電引出。

10.根據權利要求9所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述在所述介質層上設置導電插塞具體包括：

在平坦化的所述介質層上形成開孔，使所述金屬層部分暴露；

在所述開孔內填充導電材料。

11.根據權利要求9所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鋁，所述導電插塞的材料為銅。