[發明專利]一種熱阻測量儀器校準系統

有效

• 申請號: 202011134908.3
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112525385B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 李灝;劉巖;喬玉娥;荊曉冬;丁立強;任宇龍;杜蕾
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G01K15/00
• 分類號: G01K15/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種熱阻測量儀器校準系統，其特征在于，包括：

校溫裝置、測溫裝置、上位機和熱阻標準件；

所述校溫裝置用于控制所述熱阻標準件處于預設溫度下，向所述熱阻標準件輸入預設測試電流，并測量所述熱阻標準件的第一結電壓，將所述第一結電壓傳輸至所述上位機；

所述測溫裝置用于向所述熱阻標準件輸入預設工作電流，待所述熱阻標準件的結溫穩定后，測量所述熱阻標準件的第二結電壓，并將所述第二結電壓傳輸至所述上位機；

所述上位機用于根據所述預設溫度、所述第一結電壓、所述第二結電壓確定所述熱阻標準件的標準熱阻值，所述標準熱阻值用于對熱阻測量儀器進行校準；

所述熱阻標準件包括半導體芯片、殼體、第一組管腳和第二組管腳；

所述半導體芯片位于所述殼體內部；

所述第一組管腳包括第一管腳和第二管腳，所述第一管腳穿過所述殼體與所述半導體芯片的陽極連接，所述第二管腳穿過所述殼體與所述半導體芯片的陰極連接；

所述第二組管腳包括第三管腳和第四管腳，所述第三管腳穿過所述殼體與所述半導體芯片的陽極連接，所述第四管腳穿過所述殼體與所述半導體芯片的陰極連接；

所述第一組管腳用于作為所述預設測試電流的輸入端口，所述第二組管腳用于作為所述第一結電壓的測量端口；

或者，所述第一組管腳用于作為所述預設工作電流的輸入端口，所述第二組管腳用于作為所述第二結電壓的測量端口；

其中，所述預設測試電流為脈沖電流，所述預設工作電流為直流電流，所述預設測試電流的電流峰值與所述預設工作電流的電流值相同。

2.如權利要求1所述的熱阻測量儀器校準系統，其特征在于，所述校溫裝置包括控溫平臺和脈沖源測單元；

所述控溫平臺用于控制所述熱阻標準件處于預設溫度下；

所述脈沖源測單元用于向所述熱阻標準件輸入預設測試電流，并測量所述熱阻標準件的第一結電壓，將所述第一結電壓傳輸至所述上位機。

3.如權利要求1所述的熱阻測量儀器校準系統，其特征在于，所述測溫裝置包括直流源和電壓表；

所述直流源用于向所述熱阻標準件輸入預設工作電流；

所述電壓表用于待所述熱阻標準件的結溫穩定后，測量所述熱阻標準件的第二結電壓，并將所述第二結電壓傳輸至所述上位機。

4.如權利要求1所述的熱阻測量儀器校準系統，其特征在于，所述根據所述預設溫度、所述第一結電壓、所述第二結電壓確定所述熱阻標準件的標準熱阻值，包括：

根據所述預設溫度和所述第一結電壓確定所述熱阻標準件的校溫曲線；

根據所述校溫曲線和所述第二結電壓確定所述熱阻標準件的結溫；

基于所述結溫確定所述熱阻標準件的標準熱阻值。

5.如權利要求4所述的熱阻測量儀器校準系統，其特征在于，所述基于所述結溫確定所述熱阻標準件的標準熱阻值，包括：

式中，R_θjx為標準熱阻值，T_j為結溫，T_x為熱阻標準件的殼溫，P_H為導致熱阻標準件結溫升高所耗散的功率。

6.如權利要求1所述的熱阻測量儀器校準系統，其特征在于，所述標準熱阻值用于對熱阻測量儀器進行校準，包括：

使用熱阻測量儀器測量所述熱阻標準件的熱阻；

計算所述熱阻與所述標準熱阻值的差值，根據所述差值對所述熱阻測量儀器進行校準。

7.如權利要求1所述的熱阻測量儀器校準系統，其特征在于，所述半導體芯片為碳化硅材質的肖特基二極管芯片。