[發明專利]半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備

在審

• 申請號: 202011132943.1
• 申請日: 2015-02-05
• 公開（公告）號: CN112510053A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平;岡崎健一;片山雅博;中田昌孝
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜冰

1.一種半導體裝置，包括：

第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、電容元件、發光元件、第一布線、第二布線、第三布線、第四布線及第五布線，

其中，所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的源極和漏極中的一方、所述第三晶體管的源極和漏極中的一方及所述電容元件的一個端子電連接，

所述第一晶體管的源極和漏極中的一方與所述第四晶體管的源極和漏極中的一方、所述電容元件的另一個端子及所述發光元件電連接，

所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個與所述第一布線電連接，

所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個與所述第二布線電連接，

所述第二晶體管的柵極與所述第三布線電連接，

所述第三晶體管的所述源極和所述漏極的另一個與所述第四布線電連接，

所述第四晶體管的所述源極和所述漏極的另一個與所述第五布線電連接，

所述第一晶體管，包括：

第一絕緣膜上的半導體膜；

所述半導體膜上的第二絕緣膜；

所述第二絕緣膜上的柵電極；

所述柵電極上的第三絕緣膜；以及

所述第三絕緣膜上的導電膜，所述導電膜與所述半導體膜電連接，

所述發光元件的電極通過第四絕緣膜的開口部與所述導電膜電連接，

所述第二絕緣膜包括第一區域及第二區域，

所述第一區域與所述半導體膜重疊，

所述第二區域不與所述柵電極重疊，并且不與所述導電膜重疊，

所述第二區域中的所述第二絕緣膜的膜厚度比所述第一區域中的所述第二絕緣膜的膜厚度薄。

2.一種半導體裝置，包括：

第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、電容元件、發光元件、第一布線、第二布線、第三布線、第四布線及第五布線，

其中，所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的源極和漏極中的一方、所述第三晶體管的源極和漏極中的一方及所述電容元件的一個端子電連接，

所述第一晶體管的源極和漏極中的一方與所述第四晶體管的源極和漏極中的一方、所述電容元件的另一個端子及所述發光元件電連接，

所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個與所述第一布線電連接，

所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一個與所述第二布線電連接，

所述第二晶體管的柵極與所述第三布線電連接，

所述第三晶體管的所述源極和所述漏極的另一個與所述第四布線電連接，

所述第四晶體管的所述源極和所述漏極的另一個與所述第五布線電連接，

所述第一晶體管，包括：

第一絕緣膜上的半導體膜；

所述半導體膜上的第二絕緣膜；

在所述第二絕緣膜上并與所述第二絕緣膜接觸的柵電極；

所述柵電極上的第三絕緣膜；以及

所述第三絕緣膜上的導電膜，所述導電膜與所述半導體膜電連接，

所述發光元件的電極通過第四絕緣膜的開口部與所述導電膜電連接，

所述電容元件，包括：

在所述第二絕緣膜上并與所述第二絕緣膜接觸的第一電極；以及

與所述第三絕緣膜接觸的第二電極，

所述柵電極和所述第一電極包含相同材料，

所述導電膜和所述第二電極包含相同材料，

所述第二絕緣膜包括第一區域及第二區域，

所述第一區域與所述半導體膜重疊，

所述第二區域不與所述柵電極重疊，并且不與所述導電膜重疊，

所述第二區域中的所述第二絕緣膜的膜厚度比所述第一區域中的所述第二絕緣膜的膜厚度薄。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，

其中所述半導體膜包含氧化物半導體。