[發明專利]半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備

在審

• 申請號: 202011132912.6
• 申請日: 2015-02-05
• 公開（公告）號: CN112510097A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平;岡崎健一;片山雅博;中田昌孝
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜冰

1.一種半導體裝置，包括：

第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；

所述氧化物半導體膜上的柵極絕緣膜；

所述柵極絕緣膜上的柵電極；

所述柵電極上的第二絕緣膜；

與所述氧化物半導體膜電連接的源電極；以及

與所述氧化物半導體膜電連接的漏電極，

所述第二絕緣膜具有與所述柵極絕緣膜的上表面接觸的區域、與所述柵極絕緣膜的側面接觸的區域以及與所述氧化物半導體膜的上表面接觸的區域，

所述第一絕緣膜具有第一區域和第二區域，

所述第一區域與所述氧化物半導體膜重疊，

所述第二區域不與所述氧化物半導體膜、所述柵極絕緣膜及所述柵電極的任一方重疊，

所述第二區域的膜厚度小于所述第一區域的膜厚度。

2.一種半導體裝置，包括：

第一柵電極；

所述第一柵電極上的第一絕緣膜；

所述第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；

所述氧化物半導體膜上的柵極絕緣膜；

所述柵極絕緣膜上的第二柵電極；

所述第二柵電極上的第二絕緣膜；

與所述氧化物半導體膜電連接的源電極；以及

與所述氧化物半導體膜電連接的漏電極，

所述第二絕緣膜具有與所述柵極絕緣膜的上表面接觸的區域、與所述柵極絕緣膜的側面接觸的區域以及與所述氧化物半導體膜的上表面接觸的區域，

所述第一絕緣膜具有第一區域和第二區域，

所述第一區域與所述氧化物半導體膜重疊，

所述第二區域不與所述氧化物半導體膜、所述柵極絕緣膜及所述第二柵電極的任一方重疊，

所述第二區域的膜厚度小于所述第一區域的膜厚度。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體裝置，

其中所述第一絕緣膜是包含氮的絕緣膜及包含氧的絕緣膜的層疊構造。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述氧化物半導體膜具有第三區域和第四區域，

所述第三區域與所述柵極絕緣膜及所述柵電極重疊，

所述第四區域不與所述柵極絕緣膜及所述柵電極的任一方重疊，

所述第四區域的膜厚度小于所述第三區域的膜厚度。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，

其中所述第一柵電極是包含銅的導電膜的層疊構造。

6.根據權利要求2所述的半導體裝置，

其中所述氧化物半導體膜具有第三區域和第四區域，

所述第三區域與所述柵極絕緣膜及所述第二柵電極重疊，

所述第四區域不與所述柵極絕緣膜及所述第二柵電極的任一方重疊，

所述第四區域的膜厚度小于所述第三區域的膜厚度。