[發明專利]一種可避免雜質混入晶體內的智能制造用半導體加工裝置

在審

• 申請號: 202011132212.7
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112342626A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 陳一霖
• 申請（專利權）人: 凌鷹文案策劃（溫州）有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及半導體加工設備技術領域，且公開了一種可避免雜質混入晶體內的智能制造用半導體加工裝置，包括活動盤，所述活動盤的底側貫穿有連接筒，連接筒的內側壁中貫穿有活動圈，活動圈的外側壁中貫穿連接筒的側壁活動連接有活動塊，連接筒的外側壁貫穿有活動筒，活動筒的頂端固定連接有連接塊，連接塊的頂端活動連接有活動球。通過將活動盤向下按壓的過程中，連接筒的側壁可直接貫穿至活動筒的內側壁中，連接筒的側壁在剛開始進入至活動筒的內部期間，活動球的側壁可順著連接筒的外側壁向上滑動，連接筒的側壁處會受到由下至上的擠壓，可限制住溶液流動的速度，縮小通道，無雜質的溶液可順利通過，可溶解掉溶液中的氣泡。

技術領域

本發明涉及半導體加工設備技術領域，具體為一種可避免雜質混入晶體內的智能制造用半導體加工裝置。

背景技術

半導體在澆灌的過程中，容易出現液體不融合的情況，容易順著一些吸附力較強的金屬等材質細小的雜質混合在一起，在澆灌的過程中，這些雜質黏合在一起，就會造成半導體的純度降低，若是兩片雜質剛好折疊形成死角線，就會容易給半導體的內部造成氣泡，容易使半導體成品的合格率下降，影響產品質量。

發明內容

(一)技術方案

為解決上述的問題，本發明提供如下技術方案：一種可避免雜質混入晶體內的智能制造用半導體加工裝置，包括活動盤，所述活動盤的底側貫穿有連接筒，連接筒的內側壁中貫穿有活動圈，活動圈的外側壁中貫穿連接筒的側壁活動連接有活動塊，連接筒的外側壁貫穿有活動筒，活動筒的頂端固定連接有連接塊，連接塊的頂端活動連接有活動球，所述活動筒的內部貫穿有活動管，活動管的側壁之間活動連接有連接索，所述連接筒的內部貫穿有連接管，連接管的側壁處貫穿有連接片，連接管的側壁處固定連接有連接桿，連接桿的側壁遠離連接管的一端活動連接有活動珠，所述連接筒的側壁處貫穿有連接圈，連接圈位于連接筒外側壁的部位固定連接有吸附塊，吸附塊的外側壁處固定連接有磁塊。

優選的，所述活動球位于活動筒兩側的距離小于連接筒的外徑尺寸，連接筒下滑時，連接筒的側壁可受到活動球的擠壓。

優選的，所述活動球的側壁滾動連接于連接筒的外側壁處，連接筒下滑時，可帶動活動球的側壁滾動。

優選的，所述活動珠的側壁之間活動連接，活動珠的側壁對雜質也具有吸附力，在吸附的雜質過多時，溶液就會無法通過此處，從而就會使得連接桿的側壁發生位置變化。

優選的，所述連接桿的底側壁處設置有限位塊，連接桿的頂側在經過溶液滑動過多時而被帶動向外翹起。

優選的，所述連接桿的側壁之間設置有濾網，溶液可順著連接桿的側壁處滑動的過程中一邊進行過濾。

優選的，所述活動塊的側壁轉動連接于連接筒的側壁處，當連接筒的側壁貫穿至活動筒的內側壁處時，活動塊的側壁就會被刮動向上傾斜，直接扣在活動筒的側壁處。

(二)有益效果

與現有技術相比，本發明提供了一種可避免雜質混入晶體內的智能制造用半導體加工裝置，具備以下有益效果：

1、該可避免雜質混入晶體內的智能制造用半導體加工裝置，通過將活動盤向下按壓的過程中，連接筒的側壁可直接貫穿至活動筒的內側壁中，連接筒的側壁在剛開始進入至活動筒的內部期間，活動球的側壁可順著連接筒的外側壁向上滑動，連接筒的側壁處會受到由下至上的擠壓，可限制住溶液流動的速度，縮小通道，無雜質的溶液可順利通過，可溶解掉溶液中的氣泡。

2、該可避免雜質混入晶體內的智能制造用半導體加工裝置，將澆灌半導體的溶液進行攪合并過濾，溶液的側壁能夠正常通過時，可直接順著活動珠和連接桿的側壁之間滑至底部，而雜質混在溶液內部使其無法順利通過活動珠和連接桿之間時，即可使得溶液滑動至連接管處，而溶液中的雜質邊在滑動的過程中收集在連接片處，可避免和溶液一起流至底端使得純度降低。