[發明專利]光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法在審
| 申請號： | 202011132115.8 | 申請日： | 2020-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN112230511A | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 劉向南;劉小虎 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/82 | 分類號： | G03F1/82;B08B5/04;B08B13/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四華 |
| 地址： | 201315 上海市浦東新區中國（上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防護 薄膜 表面上 污染 顆粒 去除 方法 | ||
1.一種光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、采用顯微鏡在光罩的防護薄膜表面上找到污染顆粒；
步驟二、將真空吸管和污染顆粒接觸；
步驟三、開啟真空將所接觸的所述污染顆粒去除，防止在去除過程中所述污染顆粒在所述防護薄膜表面產生移動并實現對所述污染顆粒的有效去除。
2.如權利要求1所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：所述顯微鏡為光學顯微鏡。
3.如權利要求2所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：根據所述污染顆粒大小選擇所述顯微鏡的鏡頭倍數，保證能對所述污染顆粒進行觀察和精確定位。
4.如權利要求1所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：所述光罩上包括圖形層。
5.如權利要求4所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：所述圖形層由金屬鉻光刻刻蝕后形成。
6.如權利要求5所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：所述圖形層形成在由石英玻璃組成的襯底上。
7.如權利要求6所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：所述防護薄膜設置在所述圖形層的頂部，所述防護薄膜和所述圖形層的頂部表面之間具有間距。
8.如權利要求7所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：所述防護薄膜為透明薄膜。
9.如權利要求1所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：步驟一至步驟三在集成電路制造工廠的無塵室環境中進行。
10.如權利要求9所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：步驟一至步驟三在集成電路制造工廠的無塵室環境中設置的潔凈等級更高的無塵區域內進行。
11.如權利要求1所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：步驟一中對找到所述污染顆粒進行自動放大和定位。
12.如權利要求11所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：步驟二中采用手動或自動方式實現所述真空吸管和所述污染顆粒的接觸。
13.如權利要求12所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：步驟三中，采用手動或自動方式實現真空開啟。
14.如權利要求1所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：步驟三中開啟真空后需要移走所述真空吸管，之后關閉真空，之后在進行下一個所述污染顆粒的去除。
15.如權利要求1所述的光罩防護薄膜表面上的污染顆粒去除方法，其特征在于：步驟一至步驟三中，所述光罩放置在設置了靜電消除器的光罩推車上。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
