[發明專利]一種霍爾傳感器及其制作方法在審
| 申請號： | 202011131316.6 | 申請日： | 2020-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN112259679A | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 李健萍;陳嵐 | 申請（專利權）人： | 佛山中科芯蔚科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14;G01D5/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐華 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區桂城*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 霍爾 傳感器 及其 制作方法 | ||
1.一種霍爾傳感器，其特征在于，包括P型襯底以及位于所述P型襯底上的N阱有源區、P型覆蓋層、引出電極和至少四個接觸孔，所述N阱有源區和所述引出電極均具有至少四個叉指；
所述P型覆蓋層和所述引出電極位于所述N阱有源區的中間區域；所述引出電極覆蓋所述P型覆蓋層，且分布在所述P型覆蓋層的中間區域；所述至少四個接觸孔分布在所述N阱有源區的四周，且分別位于所述引出電極的至少四個叉指的外端。
2.根據權利要求1所述的霍爾傳感器，其特征在于，所述接觸孔在其延伸方向上的長度大于或等于所述引出電極中與所述接觸孔對應設置的叉指的長度。
3.根據權利要求1所述的霍爾傳感器，其特征在于，所述P型覆蓋層是采用橫向擴散金屬氧化物半導體的淺摻雜材料進行注入實現的。
4.根據權利要求3所述的霍爾傳感器，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體的淺摻雜材料包括氟和硼。
5.一種霍爾傳感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供P型襯底；
在所述P型襯底上形成N阱有源區；
在所述N阱有源區的中間區域形成引出電極，所述引出電極和所述N阱有源區均具有至少四個叉指；
在所述N阱有源區的中間區域進行材料注入形成P型覆蓋層，所述引出電極覆蓋所述P型覆蓋層，且分布在所述P型覆蓋層的中間區域；
在所述N阱有源區的四周形成至少四個接觸孔，所述至少四個接觸孔分別位于所述引出電極的至少四個叉指的外端。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述接觸孔在其延伸方向上的長度大于或等于所述引出電極中與所述接觸孔對應設置的叉指的長度。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述N阱有源區的中間區域進行材料注入形成P型覆蓋層包括：
采用橫向擴散金屬氧化物半導體的淺摻雜材料在所述N阱有源區的中間區域進行材料注入形成P型覆蓋層。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述橫向擴散金屬氧化物半導體的淺摻雜材料包括氟和硼。
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