[發明專利]一種基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器

有效

• 申請號: 202011131054.3
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112290229B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 蔡藝軍;郭永博;張宏怡;陳鋮穎;王譯;周遠國
• 申請（專利權）人: 廈門理工學院
• 主分類號: H01Q17/00
• 分類號: H01Q17/00
• 代理公司: 廈門福貝知識產權代理事務所(普通合伙) 35235
• 代理人: 陳遠洋

1.一種基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，所述吸波器由吸波器單元構成，所述吸波器單元設置有9層結構，從上到下依次為石墨烯層和Topas介質層共8層間隔設置，底層為金屬層，所述石墨烯層為橢圓形且每個相鄰的所述石墨烯層的長軸互相垂直設置，所述石墨烯層從上到下依次包括第一石墨烯層、第二石墨烯層、第三石墨烯層以及第四石墨烯層，所述第一石墨烯層的長軸范圍為2.73μm～5.07μm，短軸范圍為2.17μm～4.03μm，所述第二石墨烯層的長軸范圍為1.82μm～3.38μm，短軸范圍為1.47μm～2.73μm，所述第三石墨烯層的長軸范圍為1.40μm～2.60μm，短軸范圍為1.12μm～2.08μm，所述第四石墨烯層的長軸范圍為1.11μm～4.03μm，短軸范圍為0.90μm～1.66μm。

2.根據權利要求1所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，所述吸波器由30～100個吸波器單元構成。

3.根據權利要求1所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，在每個吸波器單元中，所述Topas介質層從上到下依次包括第一Topas介質層、第二Topas介質層、第三Topas介質層以及第四Topas介質層，所述第一Topas介質層、所述第二Topas介質層和所述第三Topas介質層的厚度為1.46μm～2.71μm，所述第四Topas介質層的厚度為6.02μm～11.18μm。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，所述Topas介質層為環烯烴共聚物且形狀為矩形，所述Topas介質層的長度和寬度范圍為2.81um～5.23um。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，所述金屬層的形狀為矩形，其長度和寬度的范圍為2.81um～5.23um，厚度的范圍為3.5μm～6.5μm。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，每個所述石墨烯層的厚度的范圍為0.35nm～0.65nm，且每個所述石墨烯層設置于所述Topas介質層的中心位置。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，每個所述吸波器單元的厚度范圍為13.90μm～25.81μm。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，改變每個所述石墨烯層的長軸和短軸的長度范圍可獨立調節8個吸波頻段的頻率。

9.根據權利要求1-3中任一項所述的基于石墨烯的多頻段易調諧太赫茲吸波器，其特征在于，每個所述石墨烯層的本征載流子的摻雜濃度不同，且摻雜濃度為7.6×10¹⁰cm^-2～8.4×10¹⁰cm^-2。