[發明專利]柔性顯示屏、其制備方法以及顯示裝置在審
| 申請號: | 202011130526.3 | 申請日: | 2020-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN112164713A | 公開(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發明(設計)人: | 李玉良;范柳彬;肖志勇;劉明星;李金庫 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 方曉燕 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 顯示屏 制備 方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種柔性顯示屏,其特征在于,包括:
柔性屏體,包括顯示區以及自所述顯示區向外延伸的非顯示區,所述非顯示區包括彎折區以及非彎折區,所述彎折區具有相對的內側表面和外側表面;
保護層,設置于所述彎折區的所述外側表面以及至少部分所述非彎折區的表面;
其中,至少在與所述顯示區鄰接的所述非彎折區的所述保護層與所述柔性屏體的接觸面設置有粘結力增強結構。
2.根據權利要求1所述的柔性顯示屏,其特征在于,所述粘結力增強結構包括設置于所述柔性屏體靠近所述保護層一側表面的第一粗糙結構;和/或,所述保護層靠近所述柔性屏體一側表面的第二粗糙結構;
優選地,所述第一粗糙結構和所述第二粗糙結構相對設置、且無間隙貼合。
3.根據權利要求2所述的柔性顯示屏,其特征在于,所述第一粗糙結構的表面粗糙度在0.1~4μm之間;和/或,所述第二粗糙結構的表面粗糙度在0.1~4μm之間;
優選地,所述第一粗糙結構的表面粗糙度和所述第二粗糙結構的表面粗糙度相同。
4.根據權利要求2所述的柔性顯示屏,其特征在于,所述第一粗糙結構通過所述柔性屏體靠近所述保護層的一側表面粗糙化處理制得。
5.根據權利要求2所述的柔性顯示屏,其特征在于,所述第二粗糙結構包括設置于所述保護層靠近所述柔性屏體一側表面凹槽;所述第一粗糙結構包括設置于所述柔性屏體靠近所述保護層一側表面,且與所述凹槽相互嵌合的凸起;
或者,所述第一粗糙結構包括設置于所述柔性屏體靠近所述保護層一側表面凹槽;所述第二粗糙結構包括設置于所述保護層靠近所述柔性屏體一側,且與所述凹槽相互嵌合的凸起;
優選地,所述凹槽的數量至少為一個;
優選地,所述凹槽的形狀為方形、梯形、三角形和半圓形中的至少一種。
6.根據權利要求5所述的柔性顯示屏,其特征在于,所述柔性屏體的所述非顯示區包括依次層疊設置的襯底、金屬層以及有機覆蓋層,所述凹槽設置于所述有機覆蓋層中。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-6中任一項所述的柔性顯示屏。
8.一種柔性顯示屏的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供柔性屏體,所述柔性屏體具有顯示區以及自所述顯示區向外延伸的非顯示區,所述非顯示區包括彎折區以及非彎折區,所述彎折區具有相對的內側表面和外側表面;
在所述柔性屏體的所述彎折區和至少部分所述非彎折區的表面形成保護層,且至少在與所述顯示區鄰接的所述非彎折區的所述保護層與所述柔性屏體的接觸面形成粘結力增強結構;
將所述彎折區朝所述柔性屏體的非顯示面彎折,得到所述柔性顯示屏。
9.根據權利要求8所述的柔性顯示屏制備方法,其特征在于,所述在所述柔性屏體的所述彎折區和至少部分所述非彎折區的表面形成保護層,且至少在與所述顯示區鄰接的所述非彎折區的所述保護層與所述柔性屏體的接觸面形成粘結力增強結構的步驟,包括:
圖形化所述柔性屏體的與所述顯示區鄰接的所述非彎折區的表面形成第一粗糙結構;
在所述彎折區的外側表面以及至少部分所述非彎折區上形成保護材料層;
固化所述保護材料層形成保護層,以及在所述保護層靠近所述柔性屏體一側,且與所述第一粗糙結構相契合的第二粗糙結構,形成位于所述保護層與所述柔性屏體接觸面的所述粘結力增強結構。
10.根據權利要求9所述的柔性顯示屏制備方法,其特征在于,所述圖形化所述柔性屏體的與所述顯示區鄰接的所述非彎折區的表面形成第一粗糙結構的步驟,包括:
對所述柔性屏體靠近所述保護層的一側表面粗糙化處理;或者,
在所述柔性屏體靠近所述保護層的一側表面通過刻蝕工藝形成凹槽或凸起。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





