[發(fā)明專利]一種低電壓電噴霧發(fā)射裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011130185.X | 申請日: | 2020-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN112224450B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊云天;李小康;郭大偉;車碧軒;王墨戈;程謀森;吳建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍國防科技大學(xué) |
| 主分類號: | B64G1/40 | 分類號: | B64G1/40;B64G1/22 |
| 代理公司: | 長沙國科天河知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 43225 | 代理人: | 趙小龍 |
| 地址: | 410073 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 壓電 噴霧 發(fā)射 裝置 | ||
1.一種低電壓電噴霧發(fā)射裝置,其特征在于,包括供給裝置、發(fā)射裝置、加速裝置與磁場裝置:所述供給裝置內(nèi)具有作為推進劑的磁性離子液體,所述發(fā)射裝置與所述供給裝置相連,以用于將所述磁性離子液體以粒子束的形式發(fā)射;所述加速裝置位于所述粒子束的發(fā)射路徑上,以用于對所述粒子束加速;所述磁場裝置上設(shè)有能夠產(chǎn)生均勻磁場的線圈,其中,所述均勻磁場的方向與所述粒子束的發(fā)射方向相同,且所述均勻磁場包裹所述粒子束,其中,所述均勻磁場為勻強磁場或脈沖磁場;
所述發(fā)射裝置為多孔介質(zhì)發(fā)射極,所述加速裝置包括提取極與加速極,所述提取極位于所述多孔介質(zhì)發(fā)射極與所述加速極之間,且所述多孔介質(zhì)發(fā)射極與所述提取極之間、所述提取極與所述加速極之間均設(shè)有間隔;所述提取極與所述加速極上均設(shè)有若干柵孔,且所述多孔介質(zhì)發(fā)射極上的發(fā)射孔、所述提取極的柵孔、所述加速極的柵孔一一對應(yīng);
所述磁場裝置包括環(huán)繞在所述發(fā)射裝置周圍的第一磁場感應(yīng)線圈;
所述磁場裝置還包括環(huán)繞在所述提取極與所述加速極之間的間隔周圍的第二磁場感應(yīng)線圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述低電壓電噴霧發(fā)射裝置,其特征在于,所述第一磁場感應(yīng)線圈、第二磁場感應(yīng)線圈均為亥姆霍茲線圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述低電壓電噴霧發(fā)射裝置,其特征在于,所述多孔介質(zhì)發(fā)射極為多孔材料微錐性陣列結(jié)構(gòu)或毛細(xì)管錐柱或毛細(xì)管圓柱陣列結(jié)構(gòu)或多孔材料刃口式陣列結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述低電壓電噴霧發(fā)射裝置,其特征在于,所述多孔介質(zhì)發(fā)射極由導(dǎo)體材料或介電材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述低電壓電噴霧發(fā)射裝置,其特征在于,所述提取極、所述加速極由導(dǎo)體材料制成,或通過在介電材料上濺射導(dǎo)體材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述低電壓電噴霧發(fā)射裝置,其特征在于,所述磁性離子液體為1-乙基-3-甲基咪唑鎓四氯高鐵酸鹽。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國人民解放軍國防科技大學(xué),未經(jīng)中國人民解放軍國防科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011130185.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





