[發明專利]顯示面板及顯示面板的制造方法在審
| 申請號: | 202011130013.2 | 申請日: | 2020-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN112117321A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 段培;馬志麗 | 申請(專利權)人: | 維信諾科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310 | 代理人: | 唐維虎 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板(100),其特征在于,所述顯示面板(100)包括相鄰設置的顯示區(A1)和過渡區(A2),所述過渡區(A2)包括:
襯底(1);
位于所述襯底(1)上的中間層,所述中間層包括表面不平整的反射層,所述反射層的不平整表面位于所述反射層遠離所述襯底(1)的一側;
位于所述中間層遠離所述襯底(1)一側的隔離柱(3),所述隔離柱(3)具有缺口(34)。
2.根據權利要求1所述的顯示面板(100),其特征在于,所述中間層包括:
至少一層金屬層,以及
位于至少一層所述金屬層與所述隔離柱(3)之間的絕緣層。
3.根據權利要求2所述的顯示面板(100),其特征在于,至少一層所述金屬層為多層時,包括:
位于所述襯底(1)一側的第一金屬層(M1);
位于所述第一金屬層(M1)遠離所述襯底(1)一側的第一絕緣層(21);
位于所述第一絕緣層(21)遠離所述襯底(1)一側的第二金屬層(M2);以及
位于所述第二金屬層(M2)遠離所述襯底(1)一側的第三金屬層(M3);
其中,所述第二金屬層(M2)在所述襯底(1)上的正投影與所述第一金屬層(M1)在所述襯底(1)上的正投影不重疊,所述第三金屬層(M3)在所述襯底(1)上的正投影覆蓋所述第二金屬層(M2)和/或所述第一金屬層(M1)在所述襯底(1)上的正投影,所述第三金屬層(M3)遠離所述襯底(1)一側的表面凹凸不平以作為所述反射層;
優選的,所述第二金屬層(M2)在所述襯底(1)上的正投影與所述第一金屬層(M1)在所述襯底(1)上的正投影彼此之間的間距為0.7~1.2um;
優選的,所述隔離柱(3)和所述第三金屬層(M3)之間還包括第三絕緣層。
4.根據權利要求2所述的顯示面板(100),其特征在于,至少一層所述金屬層為一層時,包括:
位于所述襯底(1)上的第一金屬層(M1),以及
位于所述第一金屬層(M1)和所述襯底(1)之間的多晶硅層(7);
其中,所述第一金屬層(M1)遠離所述襯底(1)一側的表面凹凸不平以作為所述反射層;
優選的,位于所述第一金屬層(M1)遠離所述襯底(1)一側的第一絕緣層(21);
位于所述第一絕緣層(21)遠離所述第一金屬層(M1)一側的第二絕緣層(22);以及
位于所述多晶硅層(7)和所述第一金屬層(M1)之間的第四絕緣層(24);
其中,所述第一絕緣層(21)在相鄰兩個隔離柱(3)之間斷開,且所述第二絕緣層(22)在相鄰兩個隔離柱(3)之間斷開。
5.根據權利要求2所述的顯示面板(100),其特征在于,至少一層所述金屬層為一層時,包括:
位于所述襯底(1)上的第二金屬層(M2),以及
位于所述第二金屬層(M2)和所述襯底(1)之間的多晶硅層(7);
其中,所述第二金屬層(M2)遠離所述襯底(1)一側的表面凹凸不平以作為所述反射層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





